【技术实现步骤摘要】
01]本专利技术涉及平面半导体器件的安装,以及特别涉及在热失配热沉上半导体激光二极管的低应力安装。
技术介绍
由在半导体基底上形成的图案化薄膜结构构成的平面半导体器件,在正常工作期间 会产生大量的热量。例如,额定输出辐射功率为5W的单个发射激光二极管芯片在其效 率为40%时,在以全额功率工作期间将产生3W的热量。这些热量需要被去除,以防止 器件过热或发生故障。通过将半导体器件安装到由良好的热传导材料(例如铜)制成的热沉上,可以实现 热量的去除。 一旦热量被传导到铜热沉,可以通过使用例如半导体制冷器(Peltier cooler) 冷却热沉来去除热量。因此需要保证半导体器件和热沉之间良好的热接触。为了提供这 种接触,也为了保证器件以可靠且稳定的方式安装,通常采用焊接。04将半导体器件特别是诸如激光二极管的辐射-发射半导体器件焊接到铜热沉上存在 严重的缺点。激光二极管芯片必须被安装在相对准直透镜某一确定的位置。芯片相对透 镜移动会降低激光器的性能,应该避免该移动。为了避免激光二极管芯片在操作期间或 在变化温度下的存储过程中发生緩慢移动(creeping),通常采用 ...
【技术保护点】
一种低应力安装平面半导体器件的方法,其包括: 提供具有平整表面的热沉和具有两个相对的第一和第二平整表面的过渡热沉,其中,三个所述表面中的两个具有粘附在其上的焊料薄膜; 将所述热沉的所述平整表面冷接触到所述过渡热沉的所述第一平整表面,以及将所述过渡热沉的所述第二平整表面冷接触到所述平整面半导体器件的平整表面,以形成堆叠,其中,将所述焊料薄膜置于所述过渡热沉的两个侧面上; 将所述过渡热沉的所述两个侧面上的所述焊料薄膜熔解;以及 将所述焊料薄膜冷却并固化; 其中,所述平面半导体器件、所述过渡热沉和所述热沉分别具有第一热膨胀系数CTE1、第二热膨胀系数CTE2和第三热膨胀系数CTE ...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:安德烈王,萨克布赫巴杰瓦,
申请(专利权)人:JDS尤尼弗思公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。