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本发明描述了一种用于将半导体器件安装到包括过渡热沉和热沉的复合基底的方法。根据本发明的一个方面，对过渡热沉和热沉的材料进行选取使得半导体器件的热膨胀系数值在过渡热沉和热沉的材料的热膨胀系数值之间，对过渡热沉的厚度进行选取以平衡半导体器件的热...
该专利属于JDS尤尼弗思公司所有，仅供学习研究参考，未经过JDS尤尼弗思公司授权不得商用。

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