晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片，也不会使氟元素残留在划片带上，能够消除在后续工序中成为污染源的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：树脂膜覆盖工序，在晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于晶片与框架之间的划片带上覆盖水溶性树脂(P)，并使水溶性树脂固化，从而形成树脂膜；局部树脂膜去除工序，从晶片的待分割的区域将树脂膜去除而使晶片的上表面局部地露出；蚀刻工序，对晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个芯片；以及全部树脂膜去除工序，对框架单元进行清洗而将树脂膜全部去除。全部去除。全部去除。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法，通过使用了氟系气体的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件芯片。

技术介绍

[0002]通过切割装置将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]另外，为了提高器件芯片的抗折强度，本申请人提出了如下的技术：利用使分割预定线露出的掩模将晶片的上表面覆盖，通过氟系气体对分割预定线进行等离子蚀刻从而将晶片分割成各个器件芯片(参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2006
‑
108428号公报
[0005]在上述的专利文献1所记载的技术中，将晶片定位于在中央具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中，并且将划片带粘贴在晶片的下表面和环状框架上而形成框架单元，然后利用掩模将晶片的上表面覆盖而实施等离子蚀刻从而将晶片分割成器件芯片。由此，能够高效地搬送被分割成各个器件芯片的晶片。
[0006]在利用上述技术对晶片进行了分割的情况下，实施等离子蚀刻时所产生的氟元素会附着在具有粘接层的划片带上，即使进行清洗也无法完全去除而是会残留于划片带。因此，当将借助划片带而保持着晶片的框架单元搬送至后续工序时，存在该划片带会成为包含氟元素的污染源的问题。

技术实现思路

[0007]因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片，也不会使氟元素残留于划片带，能够解决在后续工序中成为污染源的问题。
[0008]根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，通过使用了氟系气体的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，将晶片定位于在中央具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中并且将划片带粘贴在该晶片的下表面和该环状框架上而形成框架单元；树脂膜覆盖工序，在该晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于该晶片与该环状框架之间的该划片带上覆盖水溶性树脂，并使水溶性树脂固化，从而形成树脂膜；局部树脂膜去除工序，从该晶片的待分割的区域将该树脂膜去除而使该晶片的上表面局部地露出；蚀刻工序，对该晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将该晶片分割成各个芯片；以及全部树脂膜去除工序，对该框架单元进行清洗而将该树脂膜全部去除。
[0009]优选该氟系气体从SF6、CF4、C2F6和C2F4中的任意一个中选择，晶片在上表面上由分割预定线划分而形成有多个器件。
[0010]根据本专利技术的晶片的加工方法，氟元素被树脂膜捕获而通过清洗与树脂一起被去
除，不会附着于划片带，消除了框架单元成为污染源的问题。
附图说明
[0011]图1是示出框架单元形成工序的实施方式的立体图。
[0012]图2是旋涂机的立体图。
[0013]图3是示出树脂膜覆盖工序的实施方式的立体图。
[0014]图4的(a)是示出局部树脂膜去除工序的实施方式的立体图，图4的(b)是实施图4的(a)所示的局部树脂膜去除工序的状态的晶片的局部放大剖视图。
[0015]图5的(a)是示出蚀刻工序的实施方式的立体图，图5的(b)是实施图5的(a)所示的蚀刻工序的状态的晶片的局部放大剖视图。
[0016]图6是示出全部树脂膜去除工序的实施方式的立体图。
[0017]标号说明
[0018]10：晶片；10a：正面；10b：背面；12：器件；14：分割预定线；18：框架单元；20：旋涂机；21：工作台机构；22：工作台；221：吸附卡盘；222：框部；24：轴部；25：驱动源；26：空气活塞；26a：杆；30：罩部；31：液体罩；31a：底面；32：排放孔；33：排放软管；34：水溶性树脂提供喷嘴；35：空气喷射喷嘴；36：清洗液提供喷嘴；100：露出槽；110：分割槽；F：框架；Fa：开口部；T：划片带；P：水溶性树脂；P
’
：树脂膜。
具体实施方式
[0019]以下，参照附图对本专利技术实施方式的晶片的加工方法进行详细说明。
[0020]在图1中示出了在本实施方式中成为被加工物的晶片10。晶片10例如是在正面10a上由交叉的多条分割预定线14划分而形成有IC、LSI等多个器件12的硅晶片。在实施本实施方式的晶片的加工方法时，准备在中央具有对该晶片10进行收纳的开口部Fa的环状框架(以下，简称为框架)F，将晶片10定位于框架F的开口部Fa中，并且将划片带T粘贴在晶片10的下表面10b和框架F上而进行一体化，形成框架单元18(框架单元形成工序)。
[0021]接着，在晶片10的上表面(在本实施方式中为正面10a)上覆盖水溶性树脂，并且在露出于晶片10与框架F之间的划片带T上覆盖水溶性树脂并固化而形成树脂膜(树脂膜覆盖工序)。
[0022]参照图2、图3对上述的树脂膜覆盖工序进行更具体的说明。在实施该树脂膜覆盖工序时，将上述框架单元18搬送到图2所示的旋涂机20。
[0023]如图2所示，旋涂机20具有工作台机构21和包围工作台机构21的罩部30。需要说明的是，图2是旋涂机20的立体图，为了便于说明，将构成罩部30的液体罩31的近前侧的一部分切开而示出。从图2可知，工作台机构21具有对框架单元18进行保持的工作台22。工作台22由具有通气性的多孔部件形成的吸附卡盘221和围绕吸附卡盘221的框部222构成，吸附卡盘221与省略图示的吸引源连接而被提供吸引负压。并且，工作台机构21具有轴部24，经由收纳于轴部24的内部的旋转轴(省略图示)而与驱动源25连接。该旋转轴被收纳于驱动源25内的电动机(省略图示)驱动，对工作台22进行旋转驱动。在驱动源25的外周配设有多个空气活塞26，通过使杆26a在图中箭头所示的上下方向上进退，使工作台22、轴部24以及驱动源25一体地升降。上述的轴部24和驱动源25作为对工作台22进行支承的基台发挥功能。
[0024]在液体罩31的内侧的底面31a上配设有将喷射到液体罩31的内侧的液体排出的排放孔32，在排放孔32上连接有将该液体向配设在液体罩31的外部的废弃容器(省略图示)排放的排放软管33。并且，在液体罩31的底面31a上，以包围工作台22的方式配设有：水溶性树脂提供喷嘴34，其向工作台22所保持的晶片10的上表面以液态提供水溶性树脂(例如聚乙烯醇(PVA))；空气喷射喷嘴35，其向晶片10的上表面喷射空气；以及清洗液提供喷嘴36，其向晶片10的上表面喷射清洗液。关于上述的水溶性树脂提供喷嘴34、空气喷射喷嘴35以及清洗液提供喷嘴36，通过使配设于液体罩31的底面31a的背面侧的驱动单元(省略图示)进行动作，能够使各喷嘴的前端部在工作台22的上方沿水平方向移动。如图2所示，在将工作台22定位于将晶片10搬入或搬出的位置(上升位置)的状态下，水溶性树脂提供喷嘴34、空气喷射喷嘴35以及清洗液提供喷嘴36定位于外周侧方向的收纳位置。
[0025本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，通过使用了氟系气体的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，将晶片定位于在中央具有对晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中并且将划片带粘贴在该晶片的下表面和该环状框架上而形成框架单元；树脂膜覆盖工序，在该晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于该晶片与该环状框架之间的该划片带上覆盖水溶性树脂，并使水溶性树脂固化，从而形成树...

【专利技术属性】
技术研发人员：横尾晋，高桥宏行，和田健太郎，渡边义雄，冈崎健志，西田吉辉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：