半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统制造方法及图纸

提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括存储器单元区域。存储器单元区域包括：存储器堆叠结构，包括第一堆叠结构和第二堆叠结构；多个沟道结构，垂直地穿透存储器堆叠结构并且连接到第二基底；至少一个第一虚设结构；以及至少一个第二虚设结构。第一虚设结构的至少一部分在竖直方向上不与第二虚设结构叠置。方向上不与第二虚设结构叠置。方向上不与第二虚设结构叠置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
[0001]本申请要求于2020年9月25日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0124633号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。


[0002]专利技术构思的各种示例实施例涉及一种半导体装置、包括半导体装置的数据存储系统和/或操作半导体装置的方法。

技术介绍

[0003]在数据存储系统中，期望和/或需要能够存储高容量数据的半导体装置。因此，正在研究增加半导体装置的数据存储容量的方法。例如，作为用于增加半导体装置的数据存储容量的方法，已经提出了包括代替二维的三维布置的存储器单元的半导体装置。

技术实现思路

[0004]各种示例实施例提供具有改善的集成度和可靠性的半导体装置。
[0005]各种示例实施例提供包括具有改善的集成度和可靠性的半导体装置的数据存储系统。
[0006]根据至少一个示例实施例，一种半导体装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的多个电路元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于所述第一基底上的多个电路元件；以及至少一个存储器单元区域，位于所述外围电路区域上，其中，所述至少一个存储器单元区域包括：第二基底，位于所述外围电路区域上；存储器堆叠结构，包括第一堆叠结构和第二堆叠结构，所述第一堆叠结构包括交替地堆叠在所述第二基底上的多个第一栅电极和多个第一层间绝缘层，并且所述第二堆叠结构包括交替地堆叠在所述第一堆叠结构上的多个第二栅电极和多个第二层间绝缘层；多个沟道结构，垂直地穿透所述存储器堆叠结构并且连接到所述第二基底，所述多个沟道结构均包括相应的沟道层；至少一个第一虚设结构，位于所述第二基底上，所述至少一个第一虚设结构与所述第一堆叠结构的至少一侧间隔开，并且所述至少一个第一虚设结构包括交替地堆叠的多个第一绝缘层和多个第二绝缘层；至少一个第二虚设结构，位于所述至少一个第一虚设结构上，所述至少一个第二虚设结构与所述第二堆叠结构的至少一侧间隔开，所述至少一个第二虚设结构包括交替地堆叠的多个第三绝缘层和多个第四绝缘层；并且所述至少一个第一虚设结构的至少一部分在竖直方向上不与所述至少一个第二虚设结构叠置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一虚设结构的所述多个第二绝缘层之中的最上面的第二绝缘层在所述竖直方向上不与所述至少一个第二虚设结构叠置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一虚设结构的至少一侧的表面的至少一部分在所述竖直方向上不与所述至少一个第二虚设结构叠置。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一虚设结构和所述至少一个第二虚设结构包括具有阶梯形状的多个台阶，并且其中，所述至少一个第一虚设结构的所述多个台阶中的最上面的台阶在所述竖直方向上不与所述至少一个第二虚设结构的所述多个台阶中的最下面的台阶叠置。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一虚设结构的所述多个台阶中的最下面的台阶在所述竖直方向上不与所述至少一个第二虚设结构的所述多个台阶中的所述最下面的台阶叠置。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一虚设结构的侧表面和所述至少一个第二虚设结构的侧表面相对于所述第二基底的上表面倾斜。7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：多个贯穿接触插塞，穿透所述第二基底以及所述至少一个第一虚设结构和所述至少一个第二虚设结构中的至少一者，所述多个贯穿接触插塞电连接到所述外围电路区域的所述多个电路元件；以及保护环结构，与所述半导体装置的边缘区域相邻，所述保护环结构围绕所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构以及所述至少一个第一虚设结构和所述至少一个第二虚设结构，所述保护环结构穿透第一盖绝缘层和第二盖绝缘层，并且所述保护环结构连接到所述第一
基底。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个第一虚设结构是多个第一虚设结构，并且其中，所述至少一个第二虚设结构是多个第二虚设结构。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个第二虚设结构的数量大于所述多个第一虚设结构的数量。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个第一虚设结构的数量大于所述多个第二虚设结构的数量。11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路区域，包括第一基底和设置在所述第一基底上的多个电路元件；第二基底，位于所述外围电路区域上；存储器单元结构，位于所述第二基底上；以及虚设结构，位于所述存储器单元结构的至少一侧上，所述虚设结构位于所述第二基底上，其中，所述存储器单元结构包括：第一堆叠结构，包括交替地...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑基容，沈在龙，郑光泳，韩智勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：