存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法。该方法包括：提供衬底，衬底上具有堆叠体，堆叠体中具有贯穿至衬底的沟道孔；在衬底上顺序形成功能层、第一牺牲层和刻蚀阻挡层，以使沟道孔侧壁和沟道孔底部层叠设置有功能层、第一牺牲层和刻蚀阻挡层；刻蚀刻蚀阻挡层，以使位于沟道孔底部的第一牺牲层裸露；去除裸露的第一牺牲层，以使位于沟道孔底部的功能层裸露；去除位于沟道孔底部的功能层、剩余的刻蚀阻挡层和剩余的第一牺牲层；在沟道孔中形成沟道层，沟道层位于功能层远离沟道孔侧壁的一侧。本发明专利技术通过增加刻蚀阻挡层降低甚至避免了现有技术中干法刻蚀中散射对沟道孔侧壁上功能层的损伤，保证了得到的存储结构的存储性能。结构的存储性能。结构的存储性能。

【技术实现步骤摘要】
存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，闪存(Flash Memory)存储器的主要功能是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在电子产品中得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，进一步提出了三维NAND闪存存储器。
[0003]存储结构是三维存储器的关键结构，常用的存储结构包括功能层和沟道层，功能层起到控制存储器电荷存储的功能。目前，三维NAND闪存存储器中存储结构的制作工艺通常是在堆叠结构中形成沟道孔，并形成覆盖沟道孔侧壁内表面的功能层，然后需要把沟道孔底部的功能层去除，再沟道孔中形成沟道层。
[0004]为了去除位于沟道孔底部的功能层，现有技术中通常形成覆盖功能层表面的牺牲层，然后干法刻蚀上述牺牲层，形成对应沟道孔底面的开口，从而使位于沟道孔底部并与上述开口本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上具有堆叠体，所述堆叠体中具有贯穿至所述衬底的沟道孔；在所述衬底上顺序形成功能层、第一牺牲层和刻蚀阻挡层，以使所述沟道孔侧壁和所述沟道孔底部层叠设置有所述功能层、所述第一牺牲层和所述刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层，以使位于所述沟道孔底部的所述第一牺牲层裸露；去除裸露的所述第一牺牲层，以使位于所述沟道孔底部的所述功能层裸露；去除位于所述沟道孔底部的所述功能层、剩余的所述刻蚀阻挡层和剩余的所述第一牺牲层；在所述沟道孔中形成沟道层，所述沟道层位于所述功能层远离所述沟道孔侧壁的一侧。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述堆叠体远离所述衬底的一侧表面为第一表面，在所述衬底上顺序形成功能层、第一牺牲层和刻蚀阻挡层的步骤包括：在所述第一表面、所述沟道孔侧壁和所述沟道孔底部顺序形成所述功能层、所述第一牺牲层和所述刻蚀阻挡层，在刻蚀所述刻蚀阻挡层的步骤中，使位于所述沟道孔底部和位于所述第一表面上的所述第一牺牲层裸露。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀阻挡层的步骤包括：对位于除所述沟道孔侧壁之外的所述刻蚀阻挡层进行离子注入，以得到掺杂阻挡层，未掺杂的所述刻蚀阻挡层与所述掺杂阻挡层的刻蚀选择比小于1；湿法刻蚀去除所述掺杂阻挡层，以使位于所述沟道孔底部的所述第一牺牲层裸露。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氧化铝层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除裸露的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：