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本发明提供了一种存储结构的制作方法、三维存储器及其制作方法。该方法包括：提供衬底，衬底上具有堆叠体，堆叠体中具有贯穿至衬底的沟道孔；在衬底上顺序形成功能层、第一牺牲层和刻蚀阻挡层，以使沟道孔侧壁和沟道孔底部层叠设置有功能层、第一牺牲层和刻蚀...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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