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提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括存储器单元区域。存储器单元区域包括：存储器堆叠结构，包括第一堆叠结构和第二堆叠结构；多个沟道结构，垂直地穿透存储器堆叠结构并且连接到第二基底；至少一个第一虚设结构；以及至少...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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