电子封装件及其制法制造技术

本发明专利技术涉及一种电子封装件及其制法，包括将第二电子元件及第三电子元件设于作为承载结构的第一电子元件上，因而无需配合现有封装基板的布线尺寸，故该第一电子元件能设计成尺寸较小的系统单芯片，以提高制程良率。以提高制程良率。以提高制程良率。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法


[0001]本专利技术有关一种半导体芯片封装技术，尤指一种能提高良率的电子封装件及其制法。

技术介绍

[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，包含有例如芯片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi-Chip Module，简称MCM)等覆晶型态的封装模组，或将芯片立体堆叠化整合为三维积体电路(3D IC)芯片堆叠技术等。
[0003]图1为现有3D芯片堆叠的封装结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装结构1包括一硅中介板(Through Silicon interposer，简称TSI)1a，其具有一硅板体10及多个形成于其中的导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)101，且该硅板体10的表面上形成有一电性连接该导电硅穿孔101的线路重布结构(Redistribution layer，简称RDL)。具体地，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：第一电子元件，其具有作用面及设于该作用面上的电极垫；第二电子元件，其设于该第一电子元件的作用面上且具有相对的第一侧与第二侧及多个连通该第一侧与第二侧的导电穿孔，以令该第二电子元件以其第一侧接合该作用面，并使该多个导电穿孔电性连接该电极垫；以及第三电子元件，其设于该第一电子元件的作用面上且电性连接该电极垫。2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件经由导电体接合该第二电子元件与第三电子元件。3.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件的作用面上配置多个相互堆叠的该第三电子元件。4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第三电子元件的内部形成有多个导电穿孔。5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件为主动元件。6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第二电子元件及/或第三电子元件为被动元件。7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该第二电子元件的第二侧上的线路结构。8.如权利要求7所述的电子封装件，其特征在于，该线路结构还形成于该第三电子元件上。9.如权利要求7或8所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该线路结构上的导电元件。10.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该作用面上以包覆该第二电子元件与第三电子元件的封装层。11.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：提供一第一电子元件，其具...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正楷，林长甫，江东昇，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：