作业用保护件制造技术

本实用新型专利技术提供一种作业用保护件，其具备：四根支柱；环状连接上述四根支柱的上端的四根第一梁；在四边形板的四边具有朝向下方的翻折部且覆盖于上述第一梁上的顶板；在比上端靠下方的位置环状连接上述四根支柱的四根第二梁；以及设置于上述第二梁且保护位于内侧的需要保护的炉内部件的缓冲部件。并且，具有维护时能够保护隔热部的同时作业人员能够以舒适的姿势进行作业的效果。适的姿势进行作业的效果。适的姿势进行作业的效果。

【技术实现步骤摘要】
作业用保护件


[0001]本技术涉及作业用保护件。

技术介绍

[0002]在半导体器件(元器件)的制造工序中的衬底处理中，例如，使用一并处理多张衬底的立式衬底处理装置。维护衬底处理装置时，需要在衬底处理装置周边确保维护区域，为了确保维护区域，有时衬底处理装置的占地面积大。

技术实现思路

[0003]技术要解决的课题
[0004]在对衬底处理装置进行维护时，存在维护作业人员的作业空间的无法保证的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术提供如下方案。
[0006]第一方案的作业用保护件，其特征在于，具备：四根支柱；环状连接上述四根支柱的上端的四根第一梁；在四边形板的四边具有朝向下方的翻折部且覆盖于上述第一梁上的顶板；在比上端靠下方的位置环状连接上述四根支柱的四根第二梁；以及设置于上述第二梁且保护位于内侧的需要保护的炉内部件的缓冲部件。
[0007]第二方案的作业用保护件，其特征在于，上述作业用保护件具有能够使人坐在上面进行作业的强度。
[0008]第三方案的作业用保护件，其特征在于，上述第一梁、上述第二梁以及上述顶板为金属制。
[0009]第四方案的作业用保护件，其特征在于，上述四根支柱与上述第一梁利用第一接头以能够装卸的方式连接，上述四根支柱与上述第二梁利用第二接头以能够装卸的方式连接。
[0010]第五方案的作业用保护件，其特征在于，上述四根支柱构成为能够在上述第二梁的上侧和下侧进行分割。
[0011]本技术的效果如下。
[0012]根据本技术，能够得到维护时能够保护隔热部的同时作业人员能够以舒适的姿势进行作业的效果。
附图说明
[0013]图1为概略性地示出本技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的俯视图。
[0014]图2为概略性地示出本技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的纵剖面图。
[0015]图3为概略性地示出本技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的
纵剖面图。
[0016]图4为概略性地示出本技术的实施方式中优选使用的处理炉的一例的纵剖面图。
[0017]图5为概略性地示出本技术的实施方式中优选使用的处理组件的一例的横剖面图。
[0018]图6为将本技术的作业用保护件放置于衬底处理装置内的示意图。
[0019]图7为本技术的作业用保护件的立体图。
[0020]图8为本技术的作业用保护件的剖视图。
[0021]图中：
[0022]1000—作业用保护件，1001—支柱，1001A—第一支柱，1001B—第二支柱，1002A—第一梁，1002B—第二梁，1003—顶板，1004—缓冲部件，1005A—第一接头，1005B—第二接头。
具体实施方式
[0023]以下，参照附图，对本技术的非限定性示例实施方式进行说明。全部附图中，针对相同或对应的构成，标注相同或对应的参考标记，省略重复的说明。另外，将后述的收纳室9侧作为正面侧(前侧)，将后述的搬送室6A、6B侧作为背面侧(后侧)。此外，将朝向后述的处理组件3A、3B的边界线(相邻面)的一侧作为内侧，将远离边界线的一侧作为外侧。
[0024]本实施方式中，衬底处理装置以实施热处理等衬底处理工序(其作为半导体器件(元器件)的制造方法中的制造工序的一个工序)的立式衬底处理装置(以下，称为处理装置)2的形式构成。
[0025]如图1、2所示，处理装置2具备相邻的两个处理组件3A、3B。处理组件3A由处理炉4A和搬送室6A构成。处理组件3B由处理炉4B和搬送室6B构成。在处理炉4A、4B的下方分别配置有搬送室6A、6B。在搬送室6A、6B的正面侧相邻地配置有移载室8，所述移载室8具备移载晶片W的移载机7。在移载室8的正面侧连结有收纳晶盒(前开式晶圆传送盒，FOUP)5的收纳室9，所述晶盒(前开式晶圆传送盒)5中收纳有多张晶片W。在收纳室9的整面设置有I/O端口22，经由I/O端口22向处理装置2内搬入及向处理装置2外搬出晶盒5。
[0026]在搬送室6A、6B与移载室8的边界壁(相邻面)，分别设置有闸阀90A、90B。在移载室8内及搬送室6A、6B内各自设置有压力检测器，移载室8内的压力被设定为低于搬送室6A、6B内的压力。另外，在移载室8内及搬送室6A、6B内各自设置有氧浓度检测器，移载室8A内及搬送室6A、6B内的氧浓度被维持在低于大气中的氧浓度的水平。在移载室8的顶部设置有向移载室8内供给清洁空气的清洁单元62C，构成为使作为清洁空气(clean air)的例如非活性气体在移载室8内循环。通过利用非活性气体对移载室8内进行循环吹扫，从而能够使移载室8内成为干净的气氛。通过这样的构成，能够抑制搬送室6A、6B内的粒子等混入移载室8内，能够抑制在移载室8内及搬送室6A、6B内在晶片W上形成自然氧化膜。
[0027]处理组件3A及处理组件3B具备相同的构成，因此在下文中，仅针对作为代表的处理组件3A进行说明。
[0028]如图4所示，处理炉4A具备：圆筒形的反应管10A；和设置于反应管10A的外周的作为加热手段(加热机构)的加热器12A。反应管由例如石英、SiC形成。在反应管10A的内部形
成有对作为衬底的晶片W进行处理的处理室14A。反应管10A中设置有作为温度检测器的温度检测部16A。温度检测部16A沿着反应管10A的内壁竖立设置。
[0029]利用作为气体供给系统的气体供给机构34A，将衬底处理中使用的气体供给至处理室14A内。气体供给机构34A供给的气体可根据形成的膜的种类变换。此处，气体供给机构34A包含原料气体供给部、反应气体供给部及非活性气体供给部。气体供给机构34A被收纳于后述的供给箱72A。
[0030]原料气体供给部具备气体供给管36a，在气体供给管36a上，从上游方向起依次设置有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)38a及作为开闭阀的阀40a。气体供给管36a与贯穿集流管18的侧壁的喷嘴44a连接。喷嘴44a在反应管10内沿上下方向竖立设置，形成有朝向保持于晶舟26的晶片W开口的多个供给孔。原料气体从喷嘴44a的供给孔通过而向晶片W供给。
[0031]以下，利用同样的构成，从反应气体供给部、经由供给管36b、MFC38b、阀40b及喷嘴44b向晶片W供给反应气体。从非活性气体供给部、经由供给管36c、36d、MFC38c、38d、阀40c、40d及喷嘴44a、44b向晶片W供给非活性气体。
[0032]圆筒形的集流管18A经由O型圈等密封部件而连结于反应管10A的下端开口部，支承反应管10A的下端。集流管18A的下端开口部通过圆盘状的盖部22A而开闭。在盖部22A的上表面设置有O型圈等密封部件，由此，反应管10A内和外部气体被气密地密封。在盖部22A上载置有隔热部24A。
[0033]在集流管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种作业用保护件，其特征在于，具备：四根支柱；环状连接上述四根支柱的上端的四根第一梁；在四边形板的四边具有朝向下方的翻折部且覆盖于上述第一梁上的顶板；在比上端靠下方的位置环状连接上述四根支柱的四根第二梁；以及设置于上述第二梁且保护位于内侧的需要保护的炉内部件的缓冲部件。2.根据权利要求1所述的作业用保护件，其特征在于，上述作业用保护件具有能够使人坐在上面进行作业的强度。3.根据权利要求1或2所述的作业用保护件，其特征在于，上述第一梁、上述第二梁以及上述顶板为金属制。4.根据权利要求1或2所述的作业用保护件，其特征在于，上述四根支柱与上述第一梁利用第一接头以能够装卸...

【专利技术属性】
技术研发人员：加贺谷彻，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：新型
国别省市：