三维存储器装置的接触部结构及其形成方法制造方法及图纸

本公开内容描述了一种三维(3D)存储器装置，包括设置在半导体层上的第一存储器阵列和第二存储器阵列。3D存储器装置还可包括设置在第一存储器阵列与第二存储器阵列之间的阶梯结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和第二阶梯区域。第一阶梯区域包括第一阶梯结构，该第一阶梯结构包含在第一方向上下降的第一多个梯级。第二阶梯区域包括第二阶梯结构，该第二阶梯结构包含在第二方向上下降的第二多个梯级。3D存储器装置还可包括设置在第一阶梯区域与第二阶梯区域之间的接触部区域。接触部区域包括延伸穿过绝缘层并进入半导体层中的多个接触部。伸穿过绝缘层并进入半导体层中的多个接触部。伸穿过绝缘层并进入半导体层中的多个接触部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储器装置的接触部结构及其形成方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有于2021年2月22日提交的中国专利申请No.2021101961129的优先权，其全部内容通过引用的方式并入本文。


[0003]本公开内容总体上涉及半导体
，更具体而言，涉及一种用于形成三维(3D)存储器装置的方法。

技术介绍

[0004]通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。因而，平面存储单元的存储密度接近上限。三维(3D)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。

技术实现思路

[0005]本公开内容中描述了用于存储器装置的三维(3D)电容器结构及其形成方法的实施例。
[0006]在一些实施例中，一种三维(3D)存储器装置可包括设置在半导体层上的第一存储器阵列和第二存储器阵列。3D存储器装置还可包括设置在第一存储器阵列与第二存储器阵列之间的阶梯结构。阶梯结构可以包括第一阶梯区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器装置，包括：设置在半导体层上的第一存储器阵列和第二存储器阵列；设置在所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列之间的阶梯结构，其中：所述阶梯结构包括第一阶梯区域和第二阶梯区域；所述第一阶梯区域包括第一阶梯结构，其中，所述第一阶梯结构包括在第一方向上下降的第一多个梯级；并且所述第二阶梯区域包括第二阶梯结构，其中，所述第二阶梯结构包括在第二方向上下降的第二多个梯级；以及设置在所述第一阶梯区域与所述第二阶梯区域之间的接触部区域，其中，所述接触部区域包括延伸穿过绝缘层并进入所述半导体层中的多个接触部。2.根据权利要求1所述的3D存储器装置，其中，所述第一方向与所述第二方向相同。3.根据权利要求1所述的3D存储器装置，其中，所述第一方向与所述第二方向是不同的方向。4.根据权利要求1所述的3D存储器装置，其中，所述多个接触部与所述半导体层接触。5.根据权利要求1所述的3D存储器装置，其中，所述第一阶梯区域还包括第三阶梯结构，所述第三阶梯结构包括在与所述第一方向相反的所述第二方向上下降的第三多个梯级。6.根据权利要求5所述的3D存储器装置，其中，所述第一多个梯级的最顶部梯级在所述第三多个梯级的最底部梯级下方。7.根据权利要求5所述的3D存储器装置，其中，所述第一阶梯区域还包括第四阶梯结构，所述第四阶梯结构包括在所述第一方向上下降的第四多个梯级，并且其中，所述第三阶梯结构邻接所述第一阶梯结构和所述第四阶梯结构。8.根据权利要求1所述的3D存储器装置，其中，所述接触部区域在所述第一阶梯区域与所述第二阶梯区域之间。9.根据权利要求1所述的3D存储器装置，还包括在所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列之间的连接器结构，其中，所述第一多个梯级中的至少一个梯级通过所述连接器结构电耦合到所述第一存储器阵列或所述第二存储器阵列结构。10.根据权利要求1所述的3D存储器装置，还包括：在所述多个接触部和所述阶梯结构上方的键合层；以及与所述键合层接触的半导体结构，其中，所述半导体结构包括外围芯片。11.一种三维(3D)存储器装置，包括：第一半导体结构，包括：设置在半导体层上的第一存储器阵列结构和第二存储器阵列结构；阶梯结构，设置在所述第一存储器阵列结构与所述第二存储器阵列结构之间并且包括第一阶梯结构和第二阶梯结构，其中：所述第一阶梯结构包括在第一方向上下降的第一多个梯级；并且所述第二阶梯结构包括在第二方向上下降的第二多个梯级；在所述第一阶梯结构与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王迪，张中，周文犀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：