三维存储器结构中的电容器制造技术

本申请涉及三维存储器结构中的电容器。存储器装置可使用阵列下电路CUA架构以三维布置构造。这种存储器装置的存储器阵列可包含以竖直布置的层次安置的存储器单元。在所述存储器阵列在衬底之上延伸的情况下，所述存储器阵列下的CUA区可包含用于所述存储器阵列的控制电路系统。邻近所述存储器阵列且安置在所述CUA区上方的空间可包含介电材料和导电结构，其中所述导电结构在所述介电材料中且在所述存储器阵列旁边竖直地延伸。由所述介电材料分离的所述导电结构可用作耦合在节点之间的电容器，其中所述节点配置成提供不同电压。这一电容器可耦合到所述存储器阵列的层级下方的电路或连接节点。连接节点。连接节点。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器结构中的电容器


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器装置和存储器装置的制造，且更具体来说，涉及包含电容器的三维存储器结构。

技术介绍

[0002]存储器装置通常作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路提供。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)，等等。非易失性存储器可在未通电时保持所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁阻性随机存取存储器(MRAM)或三维(3D)XPoint
TM
存储器等等。3D X
‑
Point存储器为具有可堆叠交叉网格数据存取阵列的非易失性存储器(NVM)技术，其中位存储是基于体电阻的改变。
[0003]快闪存储器用作广泛范围的电子应用的非易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其在衬底之上延伸，所述存储器阵列包含多个竖直布置的层次，所述层次包括存储器单元；第一区，其在所述存储器阵列下，所述第一区包含用于所述存储器阵列的控制电路系统；以及第二区，其邻近所述存储器阵列且安置在所述第一区上方，所述第二区包含：介电材料；以及导电结构，其在所述介电材料中且在所述存储器阵列的至少一部分旁边竖直地延伸，所述导电结构由介电材料分离且布置成形成耦合在配置成提供不同电压的节点之间的电容器。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述介电材料包含一或多种材料。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述导电结构为导电插塞，所述导电插塞从在所述存储器阵列的底部层级处或下方的层级延伸到在所述存储器阵列的顶部层级处或上方的层级。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包含第三区，所述第三区紧邻所述存储器阵列下的所述第一区，使得所述第二区在所述第三区正上方。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述电容器耦合在所述第三区中作为所述第三区中的电路的部分。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述导电结构以一图案布置，使得由一或多对导电结构提供电容，其中每一对的所述导电结构耦合到不同节点，所述不同节点将所述对的所述导电插塞以操作方式耦合到不同电压。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中由所述导电结构中的一组四个导电结构中的每一导电结构中的第四个提供单位电容，其中所述组布置成使得所述组的彼此对角地相对布置的导电结构耦合到提供所述对角地相对的导电结构共同的电压的一或多个节点。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电容器具有等于或大于约1.55fF/μm2的每单位面积电容。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中每一导电结构为金属导电结构。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中每一导电结构包含多种金属，其中所述导电结构的外部区具有充当阻挡层的金属，所述阻挡层阻止所述导电结构内的另一金属扩散到所述介电材料中。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中充当阻挡层的所述金属包含氮化钛，且所述另一金属包含钨。12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述介电材料包含电绝缘氧化物或电绝缘氮化物。13.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其在衬底之上延伸，所述存储器阵列包含多个竖直布置的层次，所述层次包括存储器单元；第一区，其在所述存储器阵列下，所述第一区包含用于所述存储器阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓江，N，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：