【技术实现步骤摘要】
用于通过冗余来刷新存储器的设备和方法
[0001]本公开大体上涉及半导体装置,且更具体地说,涉及半导体存储器装置。具体地说,本公开涉及易失性存储器,例如动态随机存取存储器(DRAM)。
技术介绍
[0002]信息可作为物理信号存储在存储器的个别存储器单元上(例如,电容性元件上的电荷)。存储器可以是易失性存储器,且物理信号可随时间推移衰减(其可能使存储于存储器单元中的信息降级或毁坏)。可能需要通过例如重写信息将物理信号恢复到初始值来周期性地刷新存储器单元中的信息。
[0003]存储器中的存储器单元中的一或多个可在制造时就有缺陷或随时间推移变得有缺陷。一些存储器可包含可用于替换有缺陷存储器单元的额外存储器单元。
[0004]随着存储器组件的大小减小,存储器单元的密度大大增加。重复存取特定存储器单元或存储器单元组(通常称为
‘
行锤击(row hammer)
’
)可能导致附近存储器单元中数据降级的速率增加。可能需要识别和刷新受行锤击影响的存储器单元。然而,在包含用于替换有缺陷存储器 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备,其包括:存储器阵列,其包括多个正常字线和多个冗余字线;冗余信息电路,其被配置成存储和提供与所述多个正常字线中的重新映射到所述多个冗余字线中的对应冗余字线的正常字线有关的冗余信息;和冗余控制电路,其被配置成从所述冗余信息电路检索对应于第一刷新地址和第二刷新地址的字线的所述冗余信息,其中所述冗余控制电路被进一步配置成致使当所述冗余信息指示所述字线有缺陷或不在使用中时,跳过对应于所述第一刷新地址的字线或对应于所述第二刷新地址的字线中的至少一个的刷新操作。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述冗余控制电路包括:地址锁存器,其被配置成存储所述第一刷新地址和所述第二刷新地址,请求对应于所述第一刷新地址和所述第二刷新地址的所述字线的所述冗余信息,以及提供第三刷新地址,其中所述第三刷新地址对应于所述第一刷新地址或所述第二刷新地址中的至少一个;和冗余信息锁存器,其被配置成接收对应于所述第一刷新地址和所述第二刷新地址的所述字线的所述冗余信息并且至少部分地基于所述冗余信息提供遮蔽信号或刷新操作跳过信号中的至少一个,其中所述遮蔽信号掩蔽所述第三刷新地址且所述跳过信号致使当所述冗余信息指示与所述第三刷新地址相关联的字线有缺陷或不在使用中时跳过所述刷新操作。3.根据权利要求2所述的设备,其另外包括振荡器,所述振荡器被配置成将锁存启用信号提供到所述地址锁存器和所述冗余信息锁存器,其中所述锁存启用信号被配置成至少部分地同步化所述地址锁存器和所述冗余信息锁存器的操作。4.根据权利要求3所述的设备,其另外包括启用锁存器,所述启用锁存器被配置成将振荡器启用信号提供到所述振荡器,其中所述启用锁存器被配置成响应于第一刷新操作信号的激活而将所述振荡器启用信号转变到作用中状态并且响应于第二刷新操作信号的激活而将所述振荡器启用信号转变到非作用中状态。5.根据权利要求3所述的设备,其中所述锁存启用信号被配置成使所述地址锁存器和所述冗余信息锁存器启用对应于与所述第一刷新地址和所述第二刷新地址相关联的字线的数目的次数。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一刷新地址对应于字线且所述第二刷新地址对应于多个字线。7.根据权利要求1所述的设备,其另外包括包含所述冗余控制电路的刷新控制电路。8.根据权利要求1所述的设备,其另外包括包含所述冗余控制电路的行解码器。9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一刷新地址是目标刷新地址且所述第二刷新地址是自动刷新地址。10.一种设备,其包括:存储器阵列,其包括多个正常字线和多个冗余字线;冗余信息电路,其被配置成存储和提供与所述多个正常字线中的重新映射到所述多个冗余字线中的对应冗余字线的正常字线有关的冗余信息;刷新控制电路,其被配置成引起第一刷...
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