半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序。提供半导体装置的不良解析系统，针对块单位及列单位的良/不良信息，够进行跨及多个检查步序的统合解析，解析效率提高。半导体装置的不良解析系统具备存储器(13)、不良信息管理表(19)及解析部(18)。存储器(13)存储半导体存储器的多个检查步序中以芯片内的块单位及列单位收集的良/不良信息。不良信息管理表(19)对存储在存储器(13)的块单位及列单位的良/不良信息，附加多个检查步序中所共通的产品信息、包含批次编号、晶圆编号、芯片地址的制造信息、步序信息及测试信息，并加以存储。解析部(18)基于存储在不良信息管理表(19)的信息，解析跨及多个检查步序的块单位及列单位的良/不良信息。步序的块单位及列单位的良/不良信息。步序的块单位及列单位的良/不良信息。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序
[0001][相关申请][0002]本申请案享有以日本专利申请案第2020
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143635号(申请日：2020年8月27日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照所述基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序。

技术介绍

[0004]半导体存储器中，在制造前步序中使用测试器进行晶圆单位的电评估，在后步序中将晶圆分割成多块芯片后，使用测试器进行芯片单位的电评估。基于前步序中的晶圆单位的评估结果与后步序中的芯片单位的评估结果，产生在晶圆面内的芯片位置配置有芯片单位的不良信息的晶圆不良分布。
[0005]NAND(Not And，与非)型闪存除一般块与一般列以外还具备剩余块及剩余列，在一般块及一般列产生不良的情况下，分配剩余块及剩余列作为代替。

技术实现思路

[0006]实施方式所要解决的问题在于提供一种半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的不良解析系统，具备：存储器，存储半导体存储器的多个检查步序中以芯片内的块单位及列单位收集的良/不良信息；不良信息管理表，对存储在所述存储器的块单位及列单位的良/不良信息，附加所述多个检查步序中所共通的产品信息、包含批次编号、晶圆编号、芯片地址的制造信息、步序信息及测试信息，并加以存储；以及解析部，基于存储在所述不良信息管理表的信息，解析跨及所述多个检查步序的块单位及列单位的良/不良信息。2.根据权利要求1所述的半导体装置的不良解析系统，具备逻辑物理地址转换表，将各产品的块及列的逻辑地址与表示芯片上的配置的块及列的物理地址建立对应，所述不良信息管理表存储不良块及不良列的逻辑地址信息，且所述半导体装置的不良解析系统具备逻辑物理地址转换部，参照所述逻辑物理地址转换表，将存储在所述不良信息管理表的所述不良块及不良列的逻辑地址信息转换成物理地址信息。3.根据权利要求2所述的半导体装置的不良解析系统，具备：图制作部，基于由所述逻辑物理地址转换部转换后的各检查步序及各测试的不良块及不良列的物理地址信息，制作表示不良芯片内的物理配置的不良块图及不良列图；及图显示部，将由所述图制作部制作的所述不良块图及所述不良列图重叠显示。4.根据权利要求3所述的半导体装置的不良解析系统，其中所述图制作部制作晶圆图，所述晶圆图是基于晶圆面内的芯片地址信息将各芯片的不良块图及不良列图配置在晶圆面内而成。5.根据权利要求1所述的半导体装置的不良解析系统，其中所述不良信息管理表存储包含检查装置、制造装置以及工艺信息的制造步序的信息，所述解析部基于存储在所述不良信息管理表的信息，进行块单位及列单位的不良数的合计及分析。6.一种半导体装置的不良解析方法，将半导体存储器的多个检查...

【专利技术属性】
技术研发人员：児玉真美，饭塚义和，野口雅裕，渡部由美子，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：