一种单晶内存修补单晶内存的方法、装置及设备制造方法及图纸

本申请提供了一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置，包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整

【技术实现步骤摘要】
一种单晶内存修补单晶内存的方法、装置及设备


[0001]本申请涉及内存芯片
，特别是一种单晶内存修补单晶内存的方法、装置及设备。

技术介绍

[0002]内存，也称为随机存取存储器(英语：Random Access Memory，缩写：RAM)，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
[0003]然而内存厂商，在晶园生产及IC封装的制作过程，并无法达到100％的良品。
[0004]目前，内存厂商产生的不良品在10～15％左右，造成了大量的资源浪费，由于内存IC、封装过程中会用到贵重金属，若将不良品进行销毁，同样也会造成进一步的资源浪费；而目前通过化工方式提取贵重金属在一定程度上会造成环境的污染。r/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶内存修补单晶内存的方法，其特征在于，应用于
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16单晶封装的不良IC的重组封装，所述方法包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；其中，所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组；所述不良区域类型为地址线位区域；其中，所述A组区域为0
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3位，B组区域为4
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7位，C组区域为8
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11位，D组区域为12
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15位，E组区域为8
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15位；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整
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16IC单晶封装的PCB板的布局。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据不良IC的类型和不良区域进行分组，将所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组之前的步骤，包括：依据对应于所述不良IC的正常IC的正常地址线位，确定地址线位的正常二极体值和误差阈值；检测所述不良IC的每位地址线位的二极体，并与所述正常二极体值和所述误差值进行比对，若出现不正常值，则确定为不良地址线位；依据所述不良地址线位确定所述不良IC的所述不良区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组的步骤，包括：依据所述不良IC的类型，检测所述不良IC的地址线位，确定所述不良IC内地址线位的不良区域；依据所述地址线位的不良区域划分所述不良IC为5个分组；其中，所述地址线组包括不良区域仅为0
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3位的A分组、不良区域仅为4
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7位的B分组、不良区域仅为8
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11位的C组、不良区域仅为12
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15位的D分组和不良区域仅为8
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15位的E分组。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区的步骤，包括：依据所述不良IC的分组确定所述不良IC中可用的地址线位；依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区的步骤，包括：当所述PCB板的MDQ数位顺序为64位时，依据所述不良IC中可用的地址线位和可用的地址线位的类型确定所述IC位区；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丽，陈任佳，李苑锋，林劲涛，
申请(专利权)人：深圳市嘉合劲威电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：