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本申请提供了一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置，包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良...
该专利属于深圳市嘉合劲威电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市嘉合劲威电子科技有限公司授权不得商用。

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