一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置制造方法及图纸

本申请提供了一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置，包括依据不良IC的不良区域将不良IC划分至地址线组和位址线组；选择地址线组内的任一分组中至少两个不良IC以及选择位址线组内的任一分组中至少一个不良IC；依据不良IC的分组和预设规则，划分不良IC中地址线位的IC位区；依据IC位区确定不良IC的排列顺序；依据不良IC的类型和排列顺序，调整

【技术实现步骤摘要】
一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置


[0001]本申请涉及内存芯片领域，特别是一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置。

技术介绍

[0002]内存，也称为随机存取存储器(英语：Random Access Memory，缩写：RAM)，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
[0003]然而内存厂商，在晶园生产及IC封装的制作过程，并无法达到100％的良品。
[0004]目前，内存厂商产生的不良品在10～15％左右，造成了大量的资源浪费，由于内存IC、封装过程中会用到贵重金属，若将不良品进行销毁，同样也会造成进一步的资源浪费；而目前通过化工方式提取贵重金属在一定程度上会造成环境的污染。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶内存修补单晶内存的方法，其特征在于，应用于
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8单晶封装的不良IC和
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16单晶封装的不良IC的重组封装，包括：依据所述不良IC的不良区域将所述不良IC划分至地址线组和位址线组；其中，所述地址线组为仅
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16单晶封装的不良IC中地址线不良的分组，所述位址线组为仅
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8单晶封装的不良IC中位址线不良的分组；其中，所述地址线组包括不良区域仅为0
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3位的A分组、不良区域仅为4
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7位的B分组、不良区域仅为8
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11位的C分组、不良区域仅为12
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15位的D分组和不良区域仅为8
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15位的E分组；所述位址线组包括位址线BG1不良的F分组和G分组；其中，F分组为BG1＝1，G分组为BG1＝0；选择所述地址线组内的任一分组中至少两个不良IC以及选择所述位址线组内的任一分组中至少一个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整
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16IC单晶封装的PCB板的布局。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述不良IC的不良区域将所述不良IC划分至地址线组和位址线组的步骤，包括：当所述地址线位不良，则划分至地址线组；当所述位址线位不良，则划分至位址线组。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述当所述地址线位不良，则划分至地址线组的步骤，还包括：确定所述不良IC内地址线位的不良区域；依据所述地址线位的不良区域划分至地址线组的分组内；其中，所述地址线组包括不良区域仅为0
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3位的A分组、不良区域仅为4
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7位的B分组、不良区域仅为8
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11位的C分组、不良区域仅为12
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15位的D分组和不良区域仅为8
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15位的E分组。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区的步骤，包括：依据所述不良IC的分组确定所述不良IC中可用的地址线位；依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区的步骤，包括：当所述PCB板的MDQ数位顺序为64位时，依据所述不良IC中可用的地址线位和可用的地址线位的类型确定所述IC位区；其中，所述IC位区的数量为8个，且所述IC位区包括8个可用的地址线位。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区的步骤，包括：当所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晖，陈任佳，刘文，钟林峰，
申请(专利权)人：深圳市嘉合劲威电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：