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本申请提供了一种单晶内存修补单晶内存的方法和装置,包括依据不良IC的不良区域将不良IC划分至地址线组和位址线组;选择地址线组内的任一分组中至少两个不良IC以及选择位址线组内的任一分组中至少一个不良IC;依据不良IC的分组和预设规则,划分不良...该专利属于深圳市嘉合劲威电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市嘉合劲威电子科技有限公司授权不得商用。
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