半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在注入抑制区不设置发射区和抽出区。入抑制区不设置发射区和抽出区。入抑制区不设置发射区和抽出区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，已知如下技术：在将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等晶体管部和二极管部形成于同一基板而成的半导体装置中，将氦离子等粒子束照射于半导体基板的预定深度位置，设置包含寿命抑制剂的寿命控制区(例如，专利文献1和专利文献2)。
[0003]专利文献1：日本特开2017
‑
135339号公报
[0004]专利文献2：日本特开2014
‑
175517号公报

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]在这样的半导体装置中，存在晶体管部的与二极管部邻接的区域受到寿命抑制剂的损伤，产生阈值电压的降低和不一致的问题。
[0007]技术方案
[0008]在本专利技术的第一方式中，提供半导体装置。半导体装置具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部，具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。<br/>[0009]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在所述晶体管部的俯视所述半导体基板时的所述二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区，所述二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部和所述二极管部双方在所述半导体基板的表面具有第二导电型的基区，所述晶体管部在所述半导体基板的表面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在所述注入抑制区未设置有所述发射区和所述抽出区。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述寿命控制区从所述二极管部设置到所述注入抑制区的至少一部分。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，在所述注入抑制区中，所述晶体管部和所述二极管部的排列方向上的所述寿命控制区的宽度为20μm以上且1500μm以下。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述晶体管部和所述二极管部的排列方向上的所述注入抑制区的宽度为20μm以上且900μm以下。6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述注入抑制区还设置于所述二极管部的延伸方向上的端部与有源区的外周之间。7.根据权利要求2至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述二极管部的面积为所述二极管部和所述注入抑制区的合计面积的10％以上。8.根据权利要求2至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述二极管部的总面积为所述半导体装置的面积的1.4％以上且22％以下。9.根据权利要求2至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述注入抑制区中的所述基区的掺杂浓度为所述二极管部的所述基区的掺杂浓度以下。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述注入抑制区中的所述基区的掺杂浓度为1
×
e
16
cm
‑3以上且5
×
e
19
cm
‑3以下。11.根据利要求2至10中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部的所述基区的掺杂浓度为1
×
e
16
cm
‑3以上且1
×
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18

【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎大辅，白川彻，阿形泰典，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：