【技术实现步骤摘要】
集成电路
[0001]本技术总体上涉及集成电路器件，并且特别地涉及单片集成电路场效应晶体管器件。更特别地，本技术考虑了嵌入在电荷耦合场效应晶体管中的单片电荷耦合场效应整流器器件(例如，二极管)的集成。电荷耦合场效应整流器器件的正向压降根据开关速度和效率的要求是工艺可调谐的，以满足广泛的应用。
技术介绍
[0002]参考图1，示出了功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 器件10的电路图。功率MOSFET 10包括栅极G、源极S和漏极D。在该实施例中，功率MOSFET 10是n沟道器件，并且因此源极S和漏极D 由n型掺杂的半导体区域来形成，以及沟道(和本体B)由p型掺杂的半导体区域来形成。本体B被电系接到源极S。MOSFET10的本体二极管D1由pn结来形成，pn结具有由本体B的p型掺杂区域形成的阳极和由漏极D的n型区域形成的阴极。
[0003]在开关电路应用中，当功率MOSFET 10被栅极控制为导通时，本体二极管D1处于反向模式。当功率MOSFET 10随后关断时，本体二极管D1在其反并联电路配置中将以正...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体层，掺杂有第一类型的掺杂剂；MOSFET器件，包括：第一沟槽，在所述半导体层中；所述半导体层的第一区域，在所述半导体层的顶部表面处掺杂有所述第一类型的掺杂剂；所述半导体层的第三区域，掺杂有与所述第一类型相对的第二类型的掺杂剂，并且被定位在所述第一区域与由所述半导体层形成的第一漂移区域之间；以及第一栅极，位于所述第一沟槽内，并且通过具有第一厚度的第一栅极氧化物层与所述第一区域以及所述第三区域分离；二极管器件，包括：第二沟槽，在所述半导体层中；所述半导体层的第二区域，在所述半导体层的顶部表面处掺杂有所述第一类型的掺杂剂，其中所述第一区域和所述第二区域彼此分离；第四区域，掺杂有所述第二类型的掺杂剂，并且被定位在所述第二区域与由所述半导体层形成的第二漂移区域之间；以及第二栅极，位于所述第二沟槽内，并且通过具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二栅极氧化物层与所述第二区域以及所述第四区域分离；其中所述二极管器件与所述MOSFET器件的本体二极管并联电连接。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽是相同的沟槽。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽是不同的沟槽。4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体层是由半导体衬底支撑的外延层。5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于：所述MOSFET器件还包括第一场板，所述第一场板位于所述第一沟槽内，并且通过第一插入的氧化物层与所述第一栅极分离；以及所述二极管器件还包括第二场板，所述第二场板位于所述第二沟槽内，并且通过第二插入的氧化物层与所述第二栅极分离。6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于：所述MOSFET器件还包括源极电极，所述源极电极电连接到所述第一区域和所述第一场板；所述二极管器件还包括阳极电极，所述阳极电极电连接到所述第二区域和所述第二场板；以及其中所述源极电极和阳极电极彼此电连接。7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，还包括：用于所述MOSFET器件的栅极电极，电连接到所述第一栅极；以及其中所述阳极电极还电连接到第二栅极。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述MOSFET器件还包括：第五区域，在所述第三区域内，所述第五区域比所述第三区域更重地掺杂有所述第二类型的掺杂剂；源极电极，电连接到所述第一区域和所述第五区域。9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述二极管器件包括：第六区域，在所述第四区域内，所述第六区域比所述第四区域更重地掺杂有所述第二类型的掺杂剂；以及阳极电极，电连接到所述第二区域和所述第六区域。10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述阳极电极还电连接到所述第二栅极。11.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述二极管器件的正向压降小于所述MOSFET器件的所述本体二极管的正向压降。12.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：所述MOSFET器件的漏极电极，电连接到所述半导体层；以及所述二极管器件的阴极电极，电连接到所述半导体层。13...
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