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本公开的实施例涉及集成电路。集成电路包括半导体层，掺杂有第一类型的掺杂剂；MOSFET器件，包括：第一沟槽；半导体层的第一区域；半导体层的第三区域，被定位在第一区域与由半导体层形成的第一漂移区域之间；以及第一栅极，通过具有第一厚度的第一栅极...
该专利属于意法半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体有限公司授权不得商用。

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