半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜，其至少一部分设置在发射电极的上方，所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请是国际申请日为2017年12月15日、国际申请号为PCT/JP2017/045173、进入中国申请号为201780033306.9、专利技术名称为“半导体装置及制造方法”的申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体装置及制造方法。

技术介绍

[0003]已知在将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等的晶体管部和二极管部形成于同一个基板的半导体装置中，将氦等的离子照射到半导体基板的预定的深度位置而控制载流子寿命的技术(例如，参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2015
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185742号公报

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]在半导体装置中，期望在反向恢复时的损耗少。另外，期望抑制在晶体管部的阈值电压的变动。
[0007]技术方案
[0008]在本专利技术的第一方式中，提供具备半导体基板、晶体管部、二极管部以及边界部的半导体装置。晶体管部可以设置于半导体基板，且在半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜，其至少一部分设置在发射电极的上方，所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述二极管部，在所述半导体基板的上表面侧设置有上表面侧寿命减少区，所述上表面侧寿...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田崇一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：