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提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的下表面侧具有...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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