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提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部具有抑制第二导电型载流子注入的注入抑制区，二极管部具有包含寿命抑制剂的寿命控制区。晶体管部和二极管部双方在半导体基板的表...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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