带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法。结构包括：基底层，基底层包括漏区、源区，以及位于漏区和源区之间的漂移区；第一导电类型高阻区，第一导电类型高阻区位于基底层中，至少延伸穿过漏区、源区和漂移区；漂移区位置处的第一导电类型高阻区上表面，被氧化形成场氧层；场氧层包括间隔环绕若干圈的凸起区和间隔环绕若干圈的凹陷区，相邻两圈凸起区之间间隔一圈凹陷区；多晶硅电阻层，多晶硅电阻层在场氧层上螺旋间隔环绕若干圈，每圈多晶硅电阻层均跨接在凸起区与凹陷区之间的场氧层上。制造方法用于制造上述结构。层上。制造方法用于制造上述结构。层上。制造方法用于制造上述结构。

【技术实现步骤摘要】
带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]BCD(Bipolar
‑
CMOS
‑
DMOS)工艺是在同一芯片上集成具有模拟功能的双极型(Bipolar)器件、用于数字设计的CMOS器件和高压大功率结构的DMOS器件等不同器件。其中，具有模拟功能的双极型(Bipolar)器件作为外部电路与半导体内部电路之间的接口，CMOS器件作为信号处理的核心，DMOS器件用于驱动外部电路负载。通过在同一芯片内不同功能电路的集成，减少了半导体集成电路系统内部的互连。
[0003]在超高压高阻态的BCD的制造工艺中，为了使得多晶硅电阻实现高耐压的性能，通常将多晶硅电阻按照螺线型绕在高压场效应管的漂移区上，通过高压场效应管给该多晶硅电阻提供高耐压。从而使得该多晶硅电阻，其耐压能力需要取决于该高压场效应管的耐压性能。因此，相关技术通常通过拉长该高压场效应管的高压漂移区，以提高该器件的耐压性能，进而提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有高压电阻器件的半导体结构，其特征在于，所述带有高压电阻器件的半导体结构包括：基底层，所述基底层包括漏区、源区，以及位于所述漏区和所述源区之间的漂移区；第一导电类型高阻区，所述第一导电类型高阻区位于所述基底层中，至少延伸穿过所述漏区、所述源区和所述漂移区；所述漂移区位置处的所述第一导电类型高阻区上表面，被氧化形成场氧层；所述场氧层包括间隔环绕若干圈的凸起区和间隔环绕若干圈的凹陷区，相邻两圈所述凸起区之间间隔一圈所述凹陷区；多晶硅电阻层，所述多晶硅电阻层在所述场氧层上螺旋间隔环绕若干圈，每圈所述多晶硅电阻层均跨接在所述凸起区与凹陷区之间的场氧层上。2.如权利要求1所述的带有高压电阻器件的半导体结构，其特征在于，所述多晶硅电阻层包括第一端和第二端，所述多晶硅电阻层从所述第一端至所述第二端经过连续若干圈地螺旋环绕。3.如权利要求1所述的带有高压电阻器件的半导体结构，其特征在于，还包括栅极多晶硅结构和漏区场板结构；所述栅极多晶硅结构位于所述多晶硅电阻层靠近所述源区的一侧，所述栅极多晶硅结构跨接所述漂移区和所述源区；所述漏区场板结构位于所述多晶硅电阻层靠近所述漏区的一侧。4.一种带有高压电阻器件的半导体制造方法，其特征在于，所述带有高压电阻器件的半导体制造方法包括：提供半导体基底层；在所述基底层的漂移区上形成带有第一阻挡图案的第一阻挡层，所述第一阻挡层间隔环绕形成所述第一阻挡图案；对带有所述第一阻挡层的基底层进行第一导电类型离子注入，使得未覆盖有所述第一阻挡层的基底层中形成第一导电类型注入区，覆盖有所述第一阻挡层的基底层中形成未注入区；去除所述第一阻挡层，使得所述基底层的上表面外露；进行高温氧化推阱，使得所述基底层的上表面被氧化形成氧化层，使得所述第一导电类型注入区融合为第一导电类型高阻区；所述第一导电类型注入区被氧化形成所述氧化层的厚度，大于未注入区被氧化形成所述氧化层的厚度；去除所述氧化层，使得所述基底层被氧化后的上表面外露，所述漂移区包括交替分布的凸起区与凹陷区；依照所述漂移区位置处的基底层上表面形貌，使得所述漂移区位置处的基底层上表面被氧化形成凸起区与凹陷区交替分布的场氧层；在所述场氧层上制作螺旋间隔环绕的多晶硅电阻层，使得所述多晶硅电阻层跨接在所述凸起区与凹陷区之间的场氧层上。5.如权利要求4所述的带有高压电阻器件的半导体制造方法，其特征在于，所述对带有所述第一阻挡层的基底层进行第一导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡莹，金锋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：