半导体装置制造方法及图纸

本申请提供一种半导体装置，其具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部，晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。晶体管部和二极管部两者在半导体基板的正面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的抽出区，在注入抑制区未设置发射区和抽出区。在注入抑制区未设置发射区和抽出区。在注入抑制区未设置发射区和抽出区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，在将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等晶体管部和二极管部形成于同一基板而成的半导体装置中，已知在晶体管部设置杂质浓度高于二极管部的阳极层的杂质浓度的接触层(例如，专利文献1)。
[0003]专利文献
[0004]专利文献1：国际公开第2016/030966号公报

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]在这样的半导体装置中，在二极管部续流时，不仅从阳极层供给空穴，而且来自阴极层的电子电流流入晶体管部侧，从接触层也注入空穴。因此，反向恢复电流增加，逆变器损耗增大。
[0007]技术方案
[0008]在本专利技术的第一方式中，提供半导体装置。半导体装置具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部，所述晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。
[0009]晶体管部和二极管部两者在半导体基板的正面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的正面还具有第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，在所述晶体管部的俯视所述半导体基板时的所述二极管部侧的端部，所述晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部和所述二极管部两者在所述半导体基板的正面具有第二导电型的基区，所述晶体管部在所述半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区、和掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，在所述注入抑制区未设置所述发射区和所述抽出区。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述注入抑制区在所述晶体管部和所述二极管部的排列方向上的宽度为20μm以上且900μm以下。4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述注入抑制区还设置于所述二极管部的延伸方向上的端部与有源区的外周之间。5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述二极管部的面积为所述二极管部和所述注入抑制区的合计面积的10％以上。6.如权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述半导体基板时，所述二极管部的总面积为所述半导体装置的面积的1.4％以上且22％以下。7.如权利要求2至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述注入抑制区中的所述基区的掺杂浓度为所述二极管部的所述基区的掺杂浓度以下。8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述注入抑制区中的所述基区的掺杂浓度为1
×
e
16
cm
－3
以上且5
×
e
19
cm
－3
以下。9.如权利要求2至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部的所述基区的掺杂浓度为1
×
e
16
cm
－3
以上且1
×
e
18
cm
－3
以下。10.如权利要求2至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述抽出区的掺杂浓度为5
×
e
18
cm
－3
以上且5
×
e
20
cm
－3
以下。11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部和所述二极管部两者在所述半导体基板的正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：白川彻，尾崎大辅，阿形泰典，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：