【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体装置及制造方法。
技术介绍
[0002]以往，已知有通过向半导体基板的预定的深度注入氢并使其扩散，从而在氢所通过的区域形成的晶格缺陷与氢结合而施主化，能够提高掺杂浓度的技术(例如，参照专利文献1)。另外，已知有为了使二极管的反向恢复特性提高，调整载流子的寿命的技术(例如，参照专利文献2)。
[0003]专利文献1：再公表专利第2016
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204227号
[0004]专利文献2：日本特开2015
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185742号公报
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]以对于半导体基板的预定的面的损伤小的方法容易地形成调整载流子寿命的区域。
[0007]技术方案
[0008]为了解决上述课题，在本专利技术的第一方式中，提供具备半导体基板的半导体装置，所述半导体基板具有上表面以及下表面。半导体装置可以具备第一区域，该第一区域设置于半导体基板的上表面侧的区域，且在第一深度位置具有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有上表面和下表面；第一区域，其设置于所述半导体基板的上表面侧的区域，且在第一深度位置具有第一杂质的第一化学浓度峰；以及第二区域，其设置于所述半导体基板中与所述第一区域不同的区域，且在所述第一深度位置具有所述第一杂质的第二化学浓度峰，在所述第一深度位置，所述第二区域的复合中心的浓度低于所述第一区域的所述复合中心的浓度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一深度位置，所述第一区域的所述第一化学浓度峰的峰值与所述第二区域的所述第二化学浓度峰的峰值之比，相比于所述第一区域的所述复合中心的浓度与所述第二区域的所述复合中心的浓度之比更接近于1。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一化学浓度峰的所述峰值与所述第二化学浓度峰的所述峰值相同。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一区域在所述第一深度位置具有所述复合中心的浓度峰。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一区域中的所述复合中心的所述浓度峰的半峰全宽的深度范围，沿深度方向对所述第一区域中的氢化学浓度进行积分而得到的第一积分值小于在所述深度范围沿深度方向对所述第二区域中的氢化学浓度进行积分而得到的第二积分值。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一深度位置，所述第二区域的氢化学浓度高于所述第一区域的氢化学浓度。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一区域中的从所述第一深度位置起到所述半导体基板的所述下表面为止的范围沿深度方向对氢化学浓度进行积分而得到的第三积分值小于在所述第二区域中的从所述第一深度位置起到所述半导体基板的所述下表面为止的范围沿深度方向对氢化学浓度进行积分而得到的第四积分值。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第一下表面侧区域，其配置于所述第一区域与所述半导体基板的所述下表面之间；以及第二下表面侧区域，其设置于所述第二区域与所述半导体基板的所述下表面之间，且在第二深度位置具有氢化学浓度的峰，所述第一下表面侧区域的所述第二深度位置处的氢化学浓度小于所述第二下表面侧区域的所述第二深度位置处的氢化学浓度。9.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第一上表面侧区域，其配置于所述第一区域与所述半导体基板的所述上表面之间；第二上表面侧区域，其设置于所述第二区域与所述半导体基板的所述上表面之间，且在第三深度位置具有氢化学浓度的峰，所述第二上表面侧区域的所述第三深度位置处的氢化学浓度大于所述第一上表面侧
区域的所述第三深度位置处的氢化学浓度。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一杂质的化学浓度分布具有从所述第一化学浓度峰朝向所述半导体基板的所述上表面的上侧裙部和从所述第一化学浓度峰朝向所述下表面的下侧裙部，所述上侧裙部的所述第一杂质的化学浓度与所述下侧裙部的所述第一杂质的化学浓度相比更急剧地减小。11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特...
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