具有槽型结构的半导体器件及其制造方法技术

在具有槽型ＭＯＳ栅结构的ＭＯＳ栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用槽型结构作为MOS栅的半导体器件及其制造方法。更详细地说，涉及改善了在槽内壁上形成的栅氧化膜特性的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
图16是用于说明使用槽作为MOS栅的现有的功率器件(例如IGBT绝缘栅型双极型晶体管)的结构及其制造方法。图16(a)是表示槽的排列的概念图，图16(b)是沿图16(a)的A-A’线的槽的长边方向的功率器件的剖面图，图16(c)是沿横切图16(a)的B-B’线的槽的垂直线的功率器件的剖面图。在图中，1表示n-型扩散层，2表示n型扩散层，3表示p+型高浓度扩散层，4表示p型基极层，5表示n+型发射极层，7表示槽，11表示栅氧化膜，12表示栅，15表示氧化硅膜，16和17表示层间膜，18表示p+区，19表示硅化物层，20表示阻挡金属，21表示铝。在这种现有的槽型MOS栅结构中，如图16(c)所示，栅12的表面位于硅衬底的表面之下，换言之，位于槽开口面之下。此外，为了比较起见，图17示出现有的平面MOS栅结构。由于与图16相同的符号分别表示相同或相当的部分，故省略其详细的说明。图18～图20是表示作为MOS栅使用槽的现有的功率器件(IG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有槽型结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的主面上形成槽的工序；形成从所述槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜的工序；在包括所述槽的内部的所述半导体衬底的主面上形成导电膜的工序；和以刻蚀法除去离所述导电膜的所述槽的规定距离的部分，以使所述导电膜从所述槽内部延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜光，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]