【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及真空处理装置的
技术介绍
图5的附图标记101表示现有技术的真空处理装置。该真空处理装置101具有输出输入室110、和处理室130。处理室130在输出输入室110上方的位置上与输出输入室110气密地连接,可将配置于输出输入室110内部的基板在不暴露于外部空气的情况下向处理室130内部输入或从处理室130内部输出。在输出输入室110的内部可配置多张基板,在处理室130内部进行了蚀刻处理的基板从处理室130返回输出输入室110,蚀刻处理前的基板被新输入到处理室130内部。若反复多次进行蚀刻处理,则处理室130的内部被处理气体污染,所以在进行了设定次数的蚀刻处理后,中断蚀刻处理,将处理室130从输出输入室110拆下,并将新的处理室130安装到输出输入室110上,重新开始蚀刻处理。将安装在处理室130外壁上的部件拆下、而使处理室130从输出输入室110分离的操作是人以手工操作进行的。由于处理室130配置在输出输入室110的上方,所以人需使用梯凳等进行拆下操作,但是由于处理室130的重量非常重,所以位于较高位置的处理室130的拆下操作危险。特别是 ...
【技术保护点】
一种真空处理装置,具有:处理室,在真空气氛中处理基板;输出输入室,在前述处理室上方的位置连接于前述处理室,基板从外部气氛输入其中;前述基板在前述输出输入室和前述处理室之间被输送,能在维持前述处理室和前述输出输 入室的上下位置关系的状态下,将前述处理室从前述输出输入室拆下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:高桥诚一,宫谷武尚,林秀夫,佐藤真幸,堤贤吾,小野洋平,
申请(专利权)人:株式会社爱发科,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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