基板表面的抛光方法技术

本发明专利技术涉及微电子技术领域，公开了一种基板表面的抛光方法，该方法包括：将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。采用本发明专利技术实施例，能够在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
基板表面的抛光方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种基板表面的抛光方法。

技术介绍

[0002]基板，也称为基片，其材质一般是玻璃或者陶瓷等。在微电子行业中，在采取液体化学液、反应气体和等离子体对基板进行刻蚀后，会在基板表面产生氮化物等残余杂质，影响基板表面的清洁度和光滑度，从而导致最终器件的良率下降，因此，为了防止最终器件的良率下降，刻蚀后产生的氮化物等残余杂质必须在下一段工艺开始前去除。目前，通常是利用酸和氧化剂的液态混和液来去除基板表面的氮化物等残余杂质，从而对基板表面进行抛光，然而，这种方法的抛光效果不好。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种基板表面的抛光方法，在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种基板表面的抛光方法，包括：
[0005]将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；
[0006]用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；
[0007]在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。
[0008]作为上述方案的改进，在所述用化学液对所述基板的表面进行处理之前，所述方法还包括：
[0009]控制所述样品台转动，以带动所述基板以预设转速旋转。
[0010]作为上述方案的改进，所述预设转速为3000-3500rpm。
[0011]作为上述方案的改进，所述用化学液对所述基板的表面进行处理，具体为：
[0012]向所述基板的表面喷洒化学液，以在所述基板的表面形成一层液体薄膜。
[0013]作为上述方案的改进，所述氢氟酸溶液由氢氟酸和去离子水组成，所述氢氟酸溶液中的氢氟酸与去离子水的体积比为1：45000。
[0014]作为上述方案的改进，所述化学溶液的温度为20～25℃。
[0015]作为上述方案的改进，所述混合气体的供给量为4400SCCM。
[0016]作为上述方案的改进，所述混合气体的通入时间为10-40分钟。
[0017]作为上述方案的改进，所述工艺腔内的压力为800-1000mTorr。
[0018]作为上述方案的改进，所述基座的温度为80-100℃。
[0019]实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：
[0020]本专利技术实施例提供一种基板表面的抛光方法，先将基板固定在工艺腔的样品台的
基座上，再用化学液对所述基板的表面进行处理，并在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入由二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体，从而清除基板表面的氮化物等残余物质，实现对基板表面的抛光。由于化学液中的氢氟酸能与基板表面的氮化物等残余物质进行反应，同时，化学溶液中混合的二氧化碳可以防止在清洗过程中对基板内的铜线圈造成腐蚀，而二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体也能够与基板的表面的残余物进行反应，增强了基板表面残余物质的清除效果，因此，本专利技术实施例提供的基板表面的抛光方法在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。
附图说明
[0021]图1是本专利技术提供的实施例中的一种基板表面的抛光方法的流程图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]请参阅图1所示，其是本专利技术提供的实施例中的一种基板表面的抛光方法的流程图，所述的基板表面的抛光方法包括以下步骤：
[0024]S10、将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；
[0025]S11、用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；
[0026]S12、在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。
[0027]在本实施例中，先将基板固定在工艺腔的样品台的基座上，再用化学液对所述基板的表面进行处理，并在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入由二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体，从而清除基板表面的氮化物等残余物质，实现对基板表面的抛光。由于化学液中的氢氟酸能与基板表面的氮化物等残余物质进行反应，同时，化学溶液中混合的二氧化碳可以防止在清洗过程中对基板内的铜线圈造成腐蚀，而二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体也能够与基板的表面的残余物进行反应，增强了基板表面残余物质的清除效果，因此，本专利技术实施例提供的基板表面的抛光方法在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。
[0028]需要说明的是，本专利技术实施例中的所述基板的材料主要是陶瓷或玻璃，其作用是承载半导体元件，所述工艺腔具体可以是刻蚀工艺反应腔。
[0029]需要说明的是，用化学液对基板的表面进行处理的方式有多种，例如可以是将基板浸泡在化学液中，还可以是向基板表面喷洒化学液，在此不作限定。
[0030]作为其中一种可选的实施方式，在所述步骤S11之前，所述方法还包括：
[0031]S21、控制所述样品台转动，以带动所述基板以预设转速旋转。
[0032]在本实施例中，在对基板抛光的过程中，控制样品台带动基板以预设转速旋转，能够使得化学液更加均匀地分布在基板表面，同时，接触到基板表面的化学液永远是新鲜的，因此能有效提高清洗效果，从而提高抛光效果。
[0033]在一个具体的实施方式中，所述预设转速为3000-3500rpm。
[0034]作为其中一种可选的实施方式，所述步骤S11具体为：
[0035]向所述基板的表面喷洒化学液，以在所述基板的表面形成一层液体薄膜。
[0036]在本实施例中，通过向基板的表面喷洒化学液，以在基板的表面形成一层均匀的液体薄膜，从而实现对基板表面的均匀清洗，由于在喷洒过程中所使用的化学液相对较少，有利于控制成本和保护环境。
[0037]作为其中一种可选的实施方式，所述氢氟酸溶液由氢氟酸和去离子水组成，所述氢氟酸溶液中的氢氟酸与去离子水的体积比为1：45000。经过本专利技术人对所述化学液的成分配比的深入研究，本专利技术人发现：当所述化学液中的氢氟酸与去离子水的体积比为1：45000时，化学液能够对基板表面的氮化物等残余物质具有最好的去除效果。
[0038]作为其中一种可选的实施方式，可以是将二氧化碳气体饱和溶解于氢氟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板表面的抛光方法，其特征在于，包括：将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。2.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，在所述用化学液对所述基板的表面进行处理之前，所述方法还包括：控制所述样品台转动，以带动所述基板以预设转速旋转。3.如权利要求2所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述预设转速为3000-3500rpm。4.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述用化学液对所述基板的表面进行处理，具体为：向所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海冰，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：