半导体器件封装制造技术

提供了封装电子器件的方法和装置，包括：提供一个或多个电子器件（６２），该电子器件（６２）具有带有电触点（６９）的主面（６３）、相对的背面（６５）及其间的边缘（６４）。在主面（６３）上提供牺牲层（７０）。器件（６２）被安装在临时支撑体（８０）上，使得牺牲层（７０）面向临时支撑体（８０）。形成与电子器件（６２）的至少侧边缘（６４）接触的塑料封装体（８６）。塑料封装体（８６）被至少部分固化并且器件（６２）和塑料封装体（８６）与临时支撑体（８０）分离，从而露出牺牲层（７０）。去除牺牲层（７０）。器件（６２）以及与边缘接触的封装体被安装在载体（９０）上，使得主面（６３）和电触点（６９）露出，以及任选地进一步固化。施加在主面上的绝缘体（９４）和导体（９６）将不同器件（６２）上的电触点（６９）相互耦合以及耦合至外部触点，从而形成集成的多器件面板（８８″）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件封装
本专利技术主要涉及电子器件，更具体地，本专利技术涉及半导体以及其它类型芯片器件的封装。技术背景半导体以及其它类型电子器件通常被全部或部分封装 (encapsulate)进塑料树脂中，为器件提供环境保护并方便器件的外部连 接。为方便说明而并非旨在进行限定，本专利技术用于描述半导体器件， 但是本领域技术人员应当了解本专利技术应用于任意类型的实质上平坦的 电子器件。因此，不论是单数还是复数，包括下述非限定性实例的这 些其它类型的器件，旨在包括在术语"器件"、"半导体器件"和"集 成电路"中，并且术语"器件"、"管芯(die)"、"芯片"旨在实质上等效。 适合的器件的非限定性实例是半导体集成电路，单独的半导体器件， 压电器件，磁致伸縮器件(magnetostrictive device),固态滤波器，磁隧 道结构(magnetic tunneling structure),集成无源器件例如电容器、电阻 器和电感器，以及任何及所有这些类型的器件和元件的组合及阵列。 此外，本专利技术既不依赖于采用的管芯或芯片的类型，也不依赖于构成 管芯或芯片的材料，只要这些材料经得住封装工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装电子器件的方法，其包括：　提供一个或多个电子器件，该电子器件具有电触点位于其上的主面、相对的背面和在主面与背面之间延伸的边缘，并且具有在主面上的牺牲层；　将该一个或多个电子器件安装在临时支撑体上，使得该牺牲层面向临时支撑体；　提供与电子器件的背面和边缘接触的塑料封装体；　至少部分固化塑料封装体；　分离器件和接触电子器件的边缘的至少那部分塑料封装体与临时支撑体，以便露出牺牲层；以及　去除牺牲层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧文R费伊，凯文R利什，道格拉斯G米切尔，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]