【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及半导体器件，尤其涉及沟槽类型功率半导体器件以及 制造相同器件的方法。
技术介绍
沟槽类型功率半导体器件例如功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)是众所周知的。参考图1，根据现有技术的功率MOSFETIOO 的实例包括多个形成在半导体本体14中的沟槽12。半导体本体14通常是 一个包括沿外延生长的硅层(外延硅层)16的硅片，该硅层具有形成在具 有相同导电类型但是具有更高杂质浓度的硅衬底18上的一种导电类型(例 如N类型)。沟道区域20 (有时称作本体区域)形成在外延硅层16中并且 从半导体本体的顶部表面延伸到第一深度。沟道区域20具有与外延层16 (例如P类型)相反的导电类型。源极区域22形成在沟道区域20内，其 与外延硅层16具有相同的导电类型(例如N类型)。众所周知，沟槽12通常在沟道区域20的底部延伸到一深度并且包括 栅极绝缘体24，其形成在二氧化硅内，至少在沟槽12的侧壁上。每一个 沟槽12的底部也与二氧化硅以及类似物绝缘。栅极电极26在每一个沟槽 内排列并且通常再一次在沟道区域20深度以下延伸到一个深度。栅极电极 26通常由...
【技术保护点】
一种制造功率半导体器件的方法，包括以下步骤： 在第一导电类型的半导体本体的表面上形成第一掩膜层； 图形化具有多个第一开口的所述第一掩膜层，其中所述多个第一开口的每一个向所述半导体本体的表面延伸； 通过所述的第一开口由蚀刻所 述半导体本体在所述半导体本体内定义沟槽； 在每一所述沟槽内形成栅极电极； 在每一所述栅极电极顶上形成绝缘插块，每一插块延伸到所述半导体本体的表面上，并且延伸进入所述掩膜层的各自的第一开口； 沿着每一所述绝缘插块的侧壁形成间 隔物，其中所述间隔物定义到所述半导体本体表面的第二开口；和 使用...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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