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一种沟槽型功率半导体器件的制造流程，包括在半导体表面上形成具有开口的掩膜层。通过掩膜层的开口，在半导体本体中形成具有栅极的沟槽。之后，在栅极的顶上以及掩膜层的开口内形成绝缘插块。然后移除该掩膜层，留下在半导体表面上延伸的绝缘插块。在沟槽之间...
该专利属于国际整流器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际整流器公司授权不得商用。

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