多介质FINFET结构和方法技术

一种鳍片型场效应晶体管（ＦｉｎＦＥＴ）结构，包括：　衬底；　鳍片，从所述衬底延伸；以及　栅极介质，覆盖所述鳍片，　其中所述栅极介质具有不同的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及鳍片型场效应晶体管(FinFET)，更具体地说，涉及 包括多个栅极介质厚度的改进的FinFET结构。
技术介绍
随着减小晶体管尺寸的需求继续，新的以及更小类型的晶体管被制造 出来。晶体管技术里一个最近的热点就是被称为FinFET的鳍片型场效应 晶体管的引入。Hu等人的美国专利6， 413， 802 (以后称作"Hu专利")， 这里通过参考引入其内容，公开了包括沿其中心具有沟道的中心鳍片和在 鳍片结构端部的源极和漏极的FinFET结构。栅极导体覆盖沟道部分。当FinFET结构减小基于晶体管器件的尺寸时，它对于继续改进 FinFET仍然重要。下文中描述的本专利技术提供了改进FinFET性能的方法和 结构。
技术实现思路
本专利技术提供了形成鳍片型场效应晶体管(FinFET)的方法，该方法首 先在衬底上构图鳍片并在鳍片上形成第一栅极介质。然后，本专利技术4吏用掩 膜保护第 一鳍片并从未保护的第二鳍片除去第 一栅极介质。从第 一鳍片除 去掩膜后，本专利技术在第二鳍片上和在覆盖第 一鳍片的第 一栅极介质上形成 附加栅极介质。这与第二鳍片比较时会在第一鳍片上形成不同厚度的栅极 介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：W·F·小克拉克，E·J·诺瓦克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：