【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
提出的一种改善亚微米晶体管性能的方法是使用金属栅 取代传统的多晶硅栅。虽然使用金属或金属合金栅电极取代传统的多 晶硅栅消除了多晶硅耗尽效应，但是使用这样的金属栅依然有一些问 题。所遇到的一个问题就是来自金属栅的栽流子可能扩散进入下方的 栅电介质材料中，这会引起器件短路。[0004使用金属栅所遇到的另 一个问题就是功函数失配，其中金 属栅p沟道晶体管和金属栅n沟道晶体管的功函数无法匹配多晶硅栅 的p沟道和n沟道晶体管的功函数。众所周知，在CMOS器件中， 大体上有两种不同类型的栅电极，n沟道栅电极和p沟道栅电极，其能级)。对于n沟道和p沟道电极而言，其功函数值一般分别大约为 4.1和5.2电子伏特(eV )，并且该值通常通过将多晶硅掺杂使其为n 型或p型来形成。附图说明图1A中所示结构的半导体衬底10包含任意的半导体材 料，包括但不限于Si、 Ge、 SiGe、 SiC、 SiGeC、 Ge、 GaAs、 GaN、 InAs、 InP和所有其它的第IH/V族或11/VI族的化合物半导体。半导 体衬底10也可以包括有机半导体或分层的半导体诸如Si/SiGe、绝缘...
【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）结构，包括： 半导体衬底； 位于所述半导体衬底的一个区域上的至少一个ｎＭＯＳ器件；以及 位于所述半导体衬底的另一个区域上的至少一个ｐＭＯＳ器件， 其中，所述至少一个ｎＭＯＳ器件包括 至少含有具有小于４．２ｅＶ的功函数的低功函数元素金属的栅叠层和原位金属性罩层；所述至少一个ｐＭＯＳ器件包括至少含有具有大于４．９ｅＶ的功函数的高功函数元素金属的栅叠层和金属性罩层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾德华A卡蒂尔，马修W库贝尔，布鲁斯B多里斯，拉加劳亚米，金永锡，巴里P林德尔，维加伊纳拉亚南，瓦姆西K帕鲁丘里，凯斯洸汉黄，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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