【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多芯片功率发光二极管的封装结构。
技术介绍
多芯片功率发光二极管的封装，需要有一电路来实现其串并联。目前，传统的封装结构是采用铝基板敷铜版，在敷铜版上形成电路，将功率发光二极管的芯片用银胶或绝缘胶粘合在所形成的电路上，其不足之处是1、铝基板与敷铜版之间必须有一绝缘层，该绝缘层的导热性能差，这就使多芯片功率发光二极管的热阻大；2、银胶或绝缘胶的粘合部位，同样存有大的热阻。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种热阻小的多芯片功率发光二极管的封装结构。为了实现上述的目的，所提供的多芯片功率发光二极管的封装结构，包括硅载体，其结构特点是硅载体的底面通过锡基焊料与金属基片固接，硅载体的顶面上通过锡基焊料固接有发光二极管芯片，硅载体是层状结构的载体，该层状结构的载体包含有二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层的顶面上固接有具有电路功能的上金属电极，在二氧化硅绝缘层的底面上固接有硅基片，硅基片的底面上固接有下金属层，其中上金属电极和下金属层都分别为多金属层、并且其表面层是银层。上述硅载体的底面通过锡基焊料与金属基片固接的形式有两种，一种是硅载体的底面通过锡基焊料直接固接在金属基片的顶面上，另一种是在金属基片上设有上粗下细的圆台形盲孔，将硅载体的底面通过锡基焊料固接在圆台形盲孔的底面上。上述层状结构的硅载体，依据需要，还可以在硅基片邻接二氧化硅绝缘层的部位设有与上金属电极构成电连接的防静电二极管。上述的上金属电极的层数和下金属层的层数各为2层或3层。采用本技术所述的多芯片功率发光二极管的封装结构，工作时，发光二极管芯片产生的热量自上而下依次经过锡基焊料、硅载体、锡基...
【技术保护点】
一种多芯片功率发光二极管的封装结构，包括硅载体（５），其特征是硅载体（５）的底面通过锡基焊料（６）与金属基片（７）固接，硅载体（５）的顶面上通过锡基焊料（４）固接有发光二极管芯片（３），硅载体（５）是层状结构的载体，该层状结构的载体包含有二氧化硅绝缘层（５－２），在二氧化硅绝缘层（５－２）的顶面上固接有具有电路功能的上金属电极（５－１），在二氧化硅绝缘层（５－２）的底面上固接有硅基片（５－４），硅基片（５－４）的底面上固接有下金属层（５－５），其中上金属电极（５－１）和下金属层（５－５）都分别为多金属层、并且其表面层是银层。
【技术特征摘要】
1.一种多芯片功率发光二极管的封装结构，包括硅载体(5)，其特征是硅载体(5)的底面通过锡基焊料(6)与金属基片(7)固接，硅载体(5)的顶面上通过锡基焊料(4)固接有发光二极管芯片(3)，硅载体(5)是层状结构的载体，该层状结构的载体包含有二氧化硅绝缘层(5-2)，在二氧化硅绝缘层(5-2)的顶面上固接有具有电路功能的上金属电极(5-1)，在二氧化硅绝缘层(5-2)的底面上固接有硅基片(5-4)，硅基片(5-4)的底面上固接有下金属层(5-5)，其中上金属电极(5-1)和下金属层(5-5)都分别为多金属层、并且其表面层是银层。2.根据权利要求1所述的多芯片功率发光二极管的封装结...
【专利技术属性】
技术研发人员：王新华，安建春，
申请(专利权)人：潍坊华光新能电器有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]
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