功率型发光二极管框架制造技术

一种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片（１），其特征是发光二极管芯片（１）装在散热性能优良的多棱柱体（２）的每一个侧面上，发光二极管芯片（１）的负极与多棱柱体（２）构成电连接，多棱柱体（２）有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体（３），绝缘体（３）顶面上固接一与发光二极管芯片（１）正极构成电连接的正极板体（４），多棱柱体（２）的底面固接有下伸、散热性能优良的负极框架体（５），负极框架体（５）靠近多棱柱体（２）的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有反射面层（６），正极引线脚（７）穿过负极框架体（５）的内腔、绝缘体（３）与正极板体（４）连接。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率型发光二极管框架。为了实现上述的目的，这种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片，其结构特点是发光二极管芯片装在散热性能优良的多棱柱体的每一个侧面上，发光二极管芯片的负极与多棱柱体构成电连接，多棱柱体有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体，绝缘体顶面上固接一与发光二极管芯片正极构成电连接的正极板体，多棱柱体的底面固接有下伸、散热性能优良的负极框架体，负极框架体靠近多棱柱体的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有反射面层，正极引线脚穿过负极框架体的内腔、绝缘体与正极板体连接。上述的负极框架体的内腔间隙中装有绝缘内芯。上述的多棱柱体是4-8棱柱体，最好是6棱柱体。为了使发光二极管芯片所发出的光经反射面层反射后再变成平行光和进一步增强散热效果，这种功率型发光二极管框架还包括抛物面反射杯，该抛物面反射杯安装在负极框架体上、并将多棱柱体置于该抛物面反射杯的内腔中。采用本技术所述的发光二极管框架，具有以下的有益效果1、由于多棱柱体和负极框架体的散热性能优良，因而热阻小，可形成高效热沉，使发光二极管芯片在发光过程中所产生的热能迅速散发，从而保证了发光二极管芯片的工作稳定，提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片(1)，其特征是发光二极管芯片(1)装在散热性能优良的多棱柱体(2)的每一个侧面上，发光二极管芯片(1)的负极与多棱柱体(2)构成电连接，多棱柱体(2)有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体(3)，绝缘体(3)顶面上固接一与发光二极管芯片(1)正极构成电连接的正极板体(4)，多棱柱体(2)的底面固接有下伸、散热性能优良的负极框架体(5)，负极框架体(5)靠近多棱柱体(2)的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有反射面层(6)，正极引线脚(7)穿过负极框架体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新华，安建春，
申请(专利权)人：潍坊华光新能电器有限公司，
类型：实用新型
国别省市：