高压元件结构制造技术

本发明专利技术提供一种高压元件结构，由隔离结构、高压导体层以及金属遮蔽层所组成。隔离结构设置于基底中，且隔离结构的两侧的基底中分别设置有导电区，高压导体层设置于隔离结构的上层中，金属遮蔽层则设置于隔离结构与高压导体层之间，且完全遮蔽隔离结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种集成电路结构，且特别是有关于一种高压元件结构。
技术介绍
为了在单位面积的硅芯片表面放入更多的晶体管，目前在集成电路业界，多会利用于硅芯片中形成场氧化层(field oxide)或浅沟槽隔离(shallow trench isolation)等隔离结构，以隔绝各个晶体管，避免漏电和短路等不正常导通现象。另外，为了配合晶体管缩小后所增加的内连线需求，多层金属内连线已 成为许多集成电路所采用的方式，上层的导线可能会经过隔离结构或源极/ 漏极区之上方。而于一般电压操作环境下，导线内流通的电流不致影响下方 元件的正常操作，上述的隔离结构仍然能够发挥隔绝各个晶体管的功效。然而，由于高压元件的电源(power)电压一般约介于20 ~ 200伏特之间， 在高压的操作条件下，导线经过之处将会产生增强的垂直电场，很容易提高 晶体管沟道内的电子能量，导致隔离结构两侧的电荷流通。如图5所示，基 底500中的隔离结构510两侧分别为不同晶体管的源极/漏极区515,由于上 方高压导线545的影响，将导致隔离结构510两侧的晶体管间产生漏电、短 路等不正常的导通现象。或者，也有可能造成元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压元件结构，包括：　一元件，设置于一基底上；　一高压导体层，设置在该基底上层，横跨过该元件；以及　一金属遮蔽层，设置在该元件与该高压导体层之间。

【技术特征摘要】
1. 一种高压元件结构，包括一元件，设置于一基底上；一高压导体层，设置在该基底上层，横跨过该元件；以及一金属遮蔽层，设置在该元件与该高压导体层之间。2. 如权利要求1的高压元件结构，其中该元件包括一金属氧化物半导 体晶体管，且该金属遮蔽层设置有对应于该金属氧化物半导体晶体管的接点的开口。3. 如权利要求2的高压元件结构，其中该金属氧化物半导体晶体管的 该接点包括该金属氧化物半导体晶体管的源极/漏极或栅极的接触窗或接触藝。4. 如权利要求1的高压元件结构，其中该高压导体层在高压操作条件 时，该金属遮蔽层维持于接地状态。5. 如权利要求1的高压元件结构，其中该元件包括一隔离结构，设置 在该基底中，且该金属遮蔽层完全遮蔽该隔离结构。6. 如权利要求5的高压元件结构，其中该金属遮蔽层的宽度大于等于 该隔离结构的宽度。7. 如权利要求5的高压元件结构，还包括一遮蔽栅极，设置在该隔离 结构上，该高压导体层横跨过该遮蔽栅极，且该遮蔽栅极的线宽小于该隔离 结构的线宽。8. 如权利要求7的高压元件结构，其中该遮蔽栅极的材质包括多晶硅。9. 如权利要求7的高压元件结构，其中该高压导体层在高压操作条件 时，该金属遮蔽层与该遮蔽4册一及维持于接地状态。10. 如权利要求5的高压元件结构，其中该隔离结构两侧分别设置有一源极/漏极区。11. 如权利要求5的高压元件结构，其中该隔离结构包括一浅沟槽隔离结构。12.如权利要求5的高压元件结构，其中该隔离结构包括一场氧化层。13.如权利要求5的高压元件结构，还包括一第一介电层，设置在该基 底上，-菱盖Y主该隔离结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水悟，康智凯，赵志明，黄汉屏，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：71[]