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本发明提供一种高压元件结构，由隔离结构、高压导体层以及金属遮蔽层所组成。隔离结构设置于基底中，且隔离结构的两侧的基底中分别设置有导电区，高压导体层设置于隔离结构的上层中，金属遮蔽层则设置于隔离结构与高压导体层之间，且完全遮蔽隔离结构。...
该专利属于力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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