高功率发光二极管封装结构制造技术

一种高功率发光二极管封装结构，对发光二极管提供对外的电气连接和良好的散热，包含一预设有电气接点、中有穿透孔的电路板，一由一柱体与一底板所一体成型构成的、具高热传导性的基座，一中有穿透孔、周边预设有电气接点的基板，以及一透明保护体；实施时，电路板与基板穿过基座的柱体堆栈于基座的底板上，二极管芯片设置基座的柱体顶端，并以导线建立与电路板的电气连接，再于电路板与基板之间建立电气连接，最后再以透明保护体将二极管芯片与导线封固起来。本实用新型专利技术还在基座的柱体顶端设置多个二极管芯片，并在电路板与基板上设置对应的多组电气接点而达到多芯片的封装，并因电路板将电气线路的导出构成多功能的线路控制系统。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管，尤其涉及一种高功率发光二极管封装结构。
技术介绍
高功率(high power)发光二极管的封装，顾名思义，其最重要的考虑便在于如何妥善处理发光二极管因高功率所产生的高温，以避免其性能与寿命在长期高温下运作而受到的影响。美国专利6,274,924号提出一种高功率发光二极管的封装结构。这种结构或其类似的做法目前已广为业界所采用。为方便解说起见，美国专利6,274,924号的代表图在此引用为本说明书的图1。如图1所示，此结构主要是将金属的导线架(lead frame)12封固于由绝缘耐高温塑料所构成的胶体中。发光二极管芯片(die)16设置于导热但绝缘的次载具(submount)18上，二者再一同设置于一金属的散热(heat sinking)组件10(通常是一铜柱)上。散热组件10上可设置一反射镜14。散热组件10连同二极管芯片16、次载具18再一起穿置于胶体中预先设置的空间中。二极管芯片16的电极以导线(bonding wire)(未图标)与导线架12连接。最后胶体之上再以预先成型的透明胶质保护镜(lens)20覆盖，其中并注以胶水以保护二极管芯片16与导线，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率发光二极管封装结构，提供Ｍ个发光二极管芯片对外的电气连接与散热，其中，１≤Ｍ≤Ｎ且Ｎ≥１，其特征在于，它至少包含：一基座，是由一高热传导性材质构成，该基座包含一柱体与一底板，该柱体的一第一端与该底板的一表面接合，该柱体的另 一第二端的表面积至少大于Ｎ个该二极管芯片的面积和，该Ｍ个二极管芯片设置于该柱体的该第二端表面上；一基板，该基板包含一第一穿透孔与Ｎ组第一电气接点，该第一穿透孔的尺寸形状与该柱体相配，该基板位于该底板的该表面上，该柱体由该第一穿透孔穿 过；一电路板，该电路板具有一第二穿透孔与Ｎ组第二电气接点，该第二穿透孔的尺寸形状与该柱体相配、该电路板位...

【技术特征摘要】
1.一种高功率发光二极管封装结构，提供M个发光二极管芯片对外的电气连接与散热，其中，1≤M≤N且N≥1，其特征在于，它至少包含一基座，是由一高热传导性材质构成，该基座包含一柱体与一底板，该柱体的一第一端与该底板的一表面接合，该柱体的另一第二端的表面积至少大于N个该二极管芯片的面积和，该M个二极管芯片设置于该柱体的该第二端表面上；一基板，该基板包含一第一穿透孔与N组第一电气接点，该第一穿透孔的尺寸形状与该柱体相配，该基板位于该底板的该表面上，该柱体由该第一穿透孔穿过；一电路板，该电路板具有一第二穿透孔与N组第二电气接点，该第二穿透孔的尺寸形状与该柱体相配、该电路板位于该基板之上，其面积小于该基板，该柱体由该第二穿透孔穿过，该M个二极管芯片的正负极与该N组第二电气接点其中M组之间分别建立有电气连结，该M组第二电气接点则与该基板的该N组第一电气接点其中M组建立有电气连接；以及一透明保护体，位于该封装结构的最上层，至少将该M个二极管芯片、以及该M个二极管芯片的正负极与该M组第二电气接点之间建立的电气连结包覆在内；其中，该柱体高度与该基板与该电路板厚度之和相同。2.根据权利要求1所述的高功率发光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立宸，
申请(专利权)人：丰鼎光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]