锑化铟薄膜的镀层结构制造技术

一种锑化铟薄膜的镀层结构是在具有隔离层的基底上，从内至外依次镀Ｉｎ层、ＩｎＳｂ＋Ｓｂ层和Ｉｎ层，具有这种镀层结构的薄膜经结晶化转化后可以制出高电子迁移率的锑化铟薄膜，使其在霍尔元件中具有实用性。（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种锑化铟薄膜的镀膜结构。一般蒸镀InSb薄膜，是在基底上直接镀一层InSb层，由于膜层中In和Sb的配比与理论值偏差较大，使最终制得的锑化铟薄膜电子迁移率低，在霍尔元件中没有实用价值。本技术的目的是提供一种可以产生高电子迁移率的锑化铟薄膜的镀层结构。本技术的目的是这样实现的锑化铟薄膜的镀层结构，特征在于在具有隔离层(2)的基底(1)上，从内至外外次镀In层(3)、InSb＋Sb层(4)和In层(5)。用这种结构的镀层经结晶化转化，晶粒进一步长大后，可以制出电子迁移率高达30000cm2/V.S的锑化铟薄膜，使其在霍尔元件中具有实用价值。以下结合附图详细叙述本技术的技术解决方案。附图说明图1是锑化铟镀层结构示意图。如图，在具有隔离层2的基底1上，从内至外依次镀In层3、InSb＋Sb层4和In层5。

【技术保护点】
一种锑化铟薄膜的镀层结构，其特征在于在具有隔离层（２）的基底（１）上，从内至外依次镀Ｉｎ层（３）、ＩｎＳｂ＋Ｓｂ层（４）和Ｉｎ层（５）。

【技术特征摘要】
1.一种锑化铟薄膜的镀层结构，其特征在于在具有隔离层(2)的基底(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：于成民，刘佩瑶，孙仁涛，冯桂华，王晓雯，关杰，曾永宁，王晶，
申请(专利权)人：机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]