【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，涂布PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在所述下部电极上制造所述PZT系铁电薄膜，该方法的特征在于，所述临时烧结是使用红外线来进行的，且至少包括：第1保持阶段，从0℃～150℃的温度范围内的温度或者从室温升温而保持在200℃～350℃的温度范围内的温度；和第2保持阶段，从所述第1保持阶段的保持温度升温而保持在比所述第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的温度范围内的温度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：土井利浩，樱井英章，渡边敏昭，曽山信幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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