一种反铁电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明专利技术制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及反铁电薄膜材料和能量存储
，尤其涉及，该方法能够有效提高反铁电薄膜的能量存储性能。
技术介绍
能量输出高、延时短的小型脉冲电源是现代科技领域一直寻求的目标。铁电材料自研制出来后，很快在脉冲电源方面获得应用。然而，铁电材料在机电转换过程中的能量转换效率比较低，且输出电压小。与铁电体相比，反铁电体在基态时的剩余极化强度为0，因而拥有更高的能量转换效率。经过极化处理后，反铁电体转变成贮有电能的铁电体，使用时通过施加一个较小压力 就可使铁电体转变为反铁电体，在相变过程中释放出所贮存的电能，形成一个大电量的脉冲。理论研究和试验结果显示，采用爆炸冲击波作用方式，一个反铁电材料(Icm3)在相变时的输出电功率可高达数百千瓦。根据反铁电体的储能原理，提闻反铁电体的饱和极化强度或者提闻反铁电态与铁电态间的转变电场能够使反铁电体的能量存储密度提高。目前研究人员一般采用在反铁电体中掺杂不同的化学元素等方式提高反铁电体的能量存储密度。但是，对于成分固定的反铁电体来说，提高其能量存储密度的方法比较少。因此如何简单、有效地提高反铁电体的能量存储密度是本领域科技工作者的研究课题之一。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反铁电薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：采用镀铂硅片，所述的镀铂硅片由硅片层、中间层和厚度为纳米级的铂薄膜层组成，所述的中间层是二氧化硅层，或是由二氧化硅层与钛层组成的复合层；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液，使镀铂硅片的中间层与腐蚀溶液反应被刻蚀，铂薄膜从硅片上脱离而漂浮在溶液表面；然后，将铂薄膜转移到盛有去离子水的器皿中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上，干燥铂薄膜；最后，在铂薄膜上沉积反铁电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李润伟，左正笏，詹清峰，陈斌，杨华礼，刘宜伟，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：