【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。一般锑化铟霍尔元件的电极焊点处用蒸金的方法制得，其成本较高，而且选择性刻蚀要求也高，同时该电极焊点制作在锑化铟薄膜上，在压焊外引线时，会对压焊点下面的锑化铟膜层产生损伤，影响焊接牢固度。本专利技术的目的是提供一种电极焊点牢固度高的。本专利技术的目的是这样实现的锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极(1)一端与“十”字形敏感膜(2)呈欧姆接触，另一端附着在基底上。其制作工艺依次如下首先通过选择性刻蚀的方法将元件敏感膜(2)及敏感膜与蒸镀金属形成欧姆接触区以外部分的锑化铟膜层用腐蚀液去掉，腐蚀液为盐酸HCl、硝酸HNO3和水H2O，三者的比例1∶1∶2，腐蚀温度为25-35℃，时间为5-10秒，然后用分极控制法在元件上依次蒸镀一层(0.1-0.2)μm铬Cr和一层铝Al(1-2)μm，经过二次刻蚀将电极(1)以外的部分用碱性铁氰化钾腐蚀液去掉铬Cr、铝Al，使焊点直接落到元件基底上，将经上述工艺处理的电极进行合金化处理，合金工艺时间为15-20分钟，温度为185-200℃，使蒸镀的金属与锑化铟膜形成良好的欧姆接触。由于电极是部分与“十”字形敏感膜欧姆接触，而焊点设于下面没有锑化铟薄膜的非欧姆接触部分，所以焊接时对敏感膜无损伤。焊接牢固度好，焊点抗拉力在0.147N以上，在腐蚀工艺中，本方法选择的腐蚀液，其工艺温度均是在室温下进行的，易于控制，减少了对元件的温度冲击。利用Al作电极元件，成本大大降低。此外本专利技术工艺简单，易于实现。由于锑化铟薄膜通常是制做在软磁性基底上，基底组成为锰锌铁氧体，中间为二氧化硅SiO2做隔...
【技术保护点】
一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“＋”字形敏感膜和电极，其特征在于电极（１）一端与“十”字形敏感膜（２）呈欧姆接触，另一端附着在基底上。
【技术特征摘要】
1.一种锑化铟霍尔元件电极包括有“十”字形敏感膜和电极，其特征在于电极(1)一端与“十”字形敏感膜(2)呈欧姆接触，另一端附着在基底上。2.一种制造权利要求1所述电极的制造方法，其特征在于依次经过下述工艺首先通过选择性刻蚀的方法将元件敏感膜及敏感膜与蒸镀金属形成欧姆接触区以外部分的锑化铟膜层用腐蚀液去掉，腐蚀液为盐酸HCl、硝酸HNO3和水H2O，三者的比例1∶1∶2...
【专利技术属性】
技术研发人员：于成民，孙仁涛，冯桂华，刘佩瑶，王晓雯，关杰，孔海霞，
申请(专利权)人：机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所，
类型：发明
国别省市：21[中国|辽宁]
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