一种可靠性提高的E*PROM集成电路制造技术

一种Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其中所述Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ集成电路还包括覆盖需要保护的Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ存储单元阵列至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜，所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。所述附加金属膜的形状可以是片状、网状或丝状。所述附加金属膜是在所述介质层上形成上层金属互连的同时形成的。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种可靠性提高的E2PROM集成电路，尤其涉及一种可应用于智能卡的IC芯片的E2PROM集成电路。在过去的二十年中，智能卡生产作为信息产业的一个重要环节，已经从以欧洲为中心，发展成为一个世界性的重要工业。IC芯片是智能卡的基础，此种IC芯片采用了E2PROM集成电路，因此，以这种集成电路制成的模块的可靠性是智能卡是否稳定的关键。如图5和6所示，依据已有技术，在E2PROM模块制造过程中，需要使用高压打火金丝球焊的步骤，该步骤中所引入的高压电场将使模块制造前E2PROM集成电路中预先写入的存储单元信息发生变化。由于这些变化，严重地影响了IC芯片的可靠性，使得有些IC芯片成为废品而不得不被丢弃，而有些IC芯片的可靠性大大降低。虽然，在IC芯片制作完成后，对有些IC芯片的E2PROM存储单元所进行的重写可能恢复原先写入的存储单元信息。但是，这样做不仅增加了额外的时间和人力，而且也不一定能达到预期的效果，在生产效率受到影响的同时，也相应地提高了生产成本。因此，本技术的目的在于提供一种可靠性和合格率都得以提高的智能卡的核心E2PROM集成电路。为了解决以上问题，本技术的一个方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其特征在于所述Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ集成电路还包括覆盖Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ存储单元阵列的至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜，所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。

【技术特征摘要】
1．一种E2PROM集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的E2PROM存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其特征在于所述E2PROM集成电路还包括覆盖E2PROM存储单元阵列的至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜，所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。2．如权利要求1所述的E2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张征，
申请(专利权)人：上海贝岭微电子制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]