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一种Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其中所述Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ集成电路还包括覆盖需要保护的Ｅ↑［２］ＰＲＯＭ存储单元阵列至少一部分以屏蔽外来电场干扰...
该专利属于上海贝岭微电子制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海贝岭微电子制造有限公司授权不得商用。

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