【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种驱动结构，尤其是一种提高三极管可靠性的驱动结构。
技术介绍
在开关电源系统中，驱动双极型三极管时，如果驱动不当或者三极管存在制造缺陷，很容易造成二次击穿而烧毁三极管。近年来，三极管的制造工艺已经有了很大的提升，但是如果驱动不当，仍然会造成部分三极管的二次击穿。三极管的二次击穿是当三极管的基极悬空时，当CE端的电压超过三极管的CE耐压时，三极管发生击穿之后，CE电压迅速下降，电流突然增大的一种现象。如果此时Ice电流无穷大的话，会造成三极管的损坏。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高三极管可靠性的驱动结构，提升三极管CE端的击穿电压，提高三极管驱动的可靠性。按照本技术提供的技术方案，所述提高三极管可靠性的驱动结构，包括电容C1、变压器线圈T、三极管Q和电阻R，其特征是：所述电容C1的一端、变压器线圈T的一端接供电电压Vin，电容C1的另一端接地，变压器线圈T的另一端接三极管Q的集电极，三极管Q的发射极接电阻R的一端，电阻R的另一端接地，三极管Q的基极分别接控制芯片U的电流驱动器和电阻Rb的一端，电阻Rb的另一端接地。进一步...
【技术保护点】
一种提高三极管可靠性的驱动结构，包括电容C1、变压器线圈T、三极管Q和电阻R，其特征是：所述电容C1的一端、变压器线圈T的一端接供电电压Vin，电容C1的另一端接地，变压器线圈T的另一端接三极管Q的集电极，三极管Q的发射极接电阻R的一端，电阻R的另一端接地，三极管Q的基极分别接控制芯片U的电流驱动器和电阻Rb的一端，电阻Rb的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.一种提高三极管可靠性的驱动结构，包括电容C1、变压器线圈T、三极管Q和电阻R，其特征是：所述电容C1的一端、变压器线圈T的一端接供电电压Vin，电容C1的另一端接地，变压器线圈T的另一端接三极管Q的集电极，三极管Q的...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙波，赵鑫，宗强，吴寿化，殷忠，管磊，
申请(专利权)人：无锡市芯茂微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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