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提高三极管可靠性的驱动结构制造技术
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下载提高三极管可靠性的驱动结构的技术资料
文档序号:14923310
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本实用新型涉及一种提高三极管可靠性的驱动结构,包括电容C1、变压器线圈T、三极管Q和电阻R,其特征是:所述电容C1的一端、变压器线圈T的一端接供电电压Vin,电容C1的另一端接地,变压器线圈T的另一端接三极管Q的集电极,三极管Q的发射极接电...
该专利属于无锡市芯茂微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡市芯茂微电子有限公司授权不得商用。
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