具有静电释放保护功能的集成电路制造技术

一种具有静电释放保护功能的集成电路，其特征在于，该集成电路至少包含： 一第一与一第二电源供应线； 串联于该第一与该第二电源供应线之间的一第一与一第二静电释放保护组件； 一电感器，该电感器连接于一位于一输入／输出垫与一射频电路间的第一电极及一位于该第一与该第二静电释放保护组件之间的第二电极之间；及 一电容器，该电容器连接于该第一电极及该第二电源供应线之间。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种具有静电释放保护功能的集成电路，特别是有关于一种具有静电释放保护功能同时不会造成阻抗不匹配问题的集成电路。一般多利用外加组件来吸收释放静电以保护集成电路使其免于受到静电释放现象的破坏，但此外加组件不会造成集成电路运作的不良影响。外加组件可为简单的保险丝、二极管或是较复杂的电路，例如接地的N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)或二极晶体管。不过对于高性能高频的集成电路而言，静电释放保护电路的电容却会限制并降低集成电路的效能。附图说明图1显示一用于保护射频电路的传统静电释放保护电路。静电释放保护二极管106与108分别连接至Vcc电源与Vss接地。静电释放保护二极管106与108位于一输入/输出垫102与一射频电路104之间。静电释放保护二极管106与108提供一静电释放路径以释放产生的大量静电。静电释放保护二极管106与108的尺寸通常都必须尽量放大以利有效释放大量静电电流，也就是当静电释放保护二极管106与108的尺寸越大时，静电释放保护二极管106与108的保护效能也就越好。不过大尺寸静电释放保护二极管106与108却会造成不可避免的副作用，特别是会造成较大的负载电容，而较大的负载电容于高频率运作时却会产生阻抗不匹配的现象。此外，额外的负载电容也会使高频射频电路的信号失准。因此为了要减少会降低射频电路性能的多余负载电容，却又必须减少静电释放保护组件的尺寸以将所产生的负载电容降至最低。不过减少静电释放保护组件的尺寸又必须牺牲静电释放保护组件的保护功能。因此究竟是要增加静电释放保护组件的尺寸以提高静电释放保护组件的保护功能但却得增加额外的负载电容，或是要减少静电释放保护组件的尺寸以降低额外的负载电容，却又同时牺牲静电释放保护组件的保护功能，便陷入两难。有鉴于上述的问题，因此非常有必要提出一种具有静电释放保护功能的集成电路，使得上述传统的问题能被解决，而这正是本技术提出的目的。本技术的又一目的为提供一种具有静电释放保护功能的集成电路，以兼顾静电释放保护组件的的保护功能与所产生的额外负载电容问题。本技术的另一目的为提供一种具有静电释放保护功能的集成电路，特别是用于高频射频电路的具有静电释放保护功能的集成电路。为了达成上述的目的，本技术提出一种具有静电释放保护功能的集成电路。此具有静电释放保护功能的集成电路包含一第一与一第二电源供应线、串联于该第一与该第二电源供应线之间的一第一与一第二静电释放保护组件、一电感器与一电容器。其中该电感器连接于一位于一输入/输出垫与一射频电路间的第一电极及一位于该第一与该第二静电释放保护组件之间的第二电极之间，而该电容器连接于该第一电极及该第二电源供应线之间。在本技术的另一实施例中，此具有静电释放保护功能的集成电路包含一第一与一第二电源供应线、一第一静电释放保护组件及串联于该第一电极与该第二电源供应线之间的一电感器与一第二静电释放保护组件。其中该第一静电释放保护组件连接于该第一电源供应线与一位于一输入/输出垫与一射频电路间的第一电极之间。上述有关技术的简单说明及以下的详细说明仅为范例并非限制。其它不脱离本技术的精神的等效改变或修饰均应包含在的本技术的权利要求书之内。图中符号说明20电源供应线22电源供应线102 输入/输出垫104 射频电路106 静电释放保护二极管108 静电释放保护二极管202 输入/输出垫204 射频电路206 静电释放保护组件208 静电释放保护组件210 电感器212 电容器214 静电释放保护组件216 静电释放保护组件220 等效阻抗负载222 等效电容器224 等效电容器302 N型金属氧化物半导体晶体管304 闸极306 P型金属氧化物半导体晶体管308 闸极310 二极管312 NPN二极电极体 314电阻器以下将根据本技术的附图做详细的说明，请注意图标均为简单的形式且未依照比例描绘，而尺寸均被夸大以利于了解本技术。参考图2A所示，显示本技术的静电释放保护电路的一实施例。静电释放保护电路连接于电源供应线20与22之间，以保护一射频电路204使其免于受到静电释放的破坏。电源供应线20可供以一电压Vcc，而电源供应线22则接地。一用于接收输入讯号与提供由射频电路204产生的讯号的输入/输出垫202则连接至射频电路204。图2A同时显示串联于电源供应线20与22之间的静电释放保护组件206与208。一电感器210则连接于一位于输入/输出垫202与射频电路204间的电极及一位于静电释放保护组件206与208之间的电极之间。一电容器212则连接于一位于输入/输出垫202与射频电路204间的电极及电源供应线22之间。电容器212仅为一范例，而可由其它电路组件取代，例如一金属氧化物半导体电容器。参考图2B所示，显示本技术的静电释放保护电路的另一实施例。静电释放保护电路连接于电源供应线20与22之间，以保护一射频电路204使其免于受到静电释放的破坏。图2B同时显示一静电释放保护组件214、电感器210与一静电释放保护组件216串联于电源供应线20与22之间。静电释放保护组件214连接于电源供应线20及位于输入/输出垫202与射频电路204间的电极。电感器210与静电释放保护组件216则串联于输入/输出垫202与射频电路204间的电极及电源供应线22之间。电源供应线20可供以一电压Vcc，而电源供应线22则接地。射频电路204可为一行动电话的射频收发电路。一般而言，静电释放保护电路为在正常电路运作时为断路，只有在静电释放时充作释放静电电流的路径。静电释放保护组件206、208、214与216包含各种可用于静电释放时电路保护的组件或电路，而电路可由单一组件或是多个组件构成。例如分别示于图3A至图3D的是具有一接地闸极304的N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)302、一具有与源极(电压Vcc)连接的闸极308的P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)306、一二极管310与一具有一位于基极与射极之间的电阻器314的NPN二极电极体312。图3C所示的二极管310可被视为图2A与图2B所示的静电释放保护组件206、208、214与216。当二极管被用作为图2A与图2B所示的静电释放保护组件206、208、214与216时，其运作方式为如下所述。若一电位低于接地的电源供应线22的静电释放现象发生于输入/输出垫202时，则静电电流由图2A中的静电释放保护二极管208或是图2B中所示的静电释放保护二极管216。若一电位高于接地的电源供应线22的静电释放现象发生于输入/输出垫202时，则静电电流由图2A中的静电释放保护二极管206或是由图2B中所示的静电释放保护二极管214经一电路回到接地电位。若一电位高于具有电压Vcc的电源供应线20的静电释放现象发生于输入/输出垫202时，则静电电流由图2A中的顺向偏压静电释放保护二极管206或是图2B中所示的顺向偏压静电释放保护二极管214释放至电源供应线20。若一电位低于具有电压Vcc的电源供应线20的静电释放现象发生于输入/输出垫202时，则静电电流由图2A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有静电释放保护功能的集成电路，其特征在于，该集成电路至少包含一第一与一第二电源供应线；串联于该第一与该第二电源供应线之间的一第一与一第二静电释放保护组件；一电感器，该电感器连接于一位于一输入/输出垫与一射频电路间的第一电极及一位于该第一与该第二静电释放保护组件之间的第二电极之间；及一电容器，该电容器连接于该第一电极及该第二电源供应线之间。2.如权利要求1所述的具有静电释放保护功能的集成电路，其特征在于，上述的该第一电源供应线连接至一电压Vcc。3.如权利要求1所述的具有静电释放保护功能的集成电路，其特征在于，上述的该第二电源供应线接地。4.如权利要求1所述的具有静电释放保护功能的集成电路，其特征在于，上述的该第一与该第二静电释放保护组件包含二极管。5.如权利要求1所述的具有静电释放保护功能的集成电路，其特征在于，上述的该第一静电释放保护组件包含一具有与其源极连接的闸极的P型金属氧化物半导体晶体管。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雅维，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：