具有自身触发效能的静电放电防护电路制造技术

一种具有自身触发效能的静电放电防护电路，适用于一具有输出入接合垫的集成电路，其特征在于该静电放电防护电路包括：　　　　一金氧半（ＭＯＳ）晶体管，具有多指状元件结构，其中指状元件均具有寄生双载子晶体管，该指状元件的汲极是耦接至该输出入接合垫而源极耦接至一电位，且在所有指状元件中至少一个具有最大基体电阻的指状元件的源极耦接至该些寄生双载子晶体管的基极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种具有自我触发特性的静电放电防护电路，特别有关于一种可被均匀触发的静电放电防护电路。
技术介绍
静电放电是在一集成电路浮接之下，大量的电能由外向内灌入集成电路的瞬时过程，整个过程大约耗时100ns。此外，在静电放电时会产生数百甚至数千伏特的高压，如此的高压将会打穿集成电路中输入级所使用的闸极氧化层，而导致电路错误。随着集成电路不断地微缩化，闸极氧化层的厚度也越来越薄，在此种趋势下，使用保护组件来疏导静电放电能量以保护闸极氧化层不受损害是十分必需的。静电放电现象的模式主要有四种人体放电模式(HBM)、机械放电模式(MM)、组件充电模式(CDM)及电场感应模式(FIM)。对一般集成电路产品来说，在静电放电的表现上，均被要求要能通过人体放电模式、机械放电模式及组件充电模式的测试，例如高于±2000伏特的人体放电模式、高于±200伏特的机械放电模式及高于±1000伏特的充电组件放电模式。为了能够承受如此高的静电放电电压，集成电路产品通常必需使用具有高效能、高耐受力的静电放电保护组件，这些组件亦通常占据了相当大的布局面积。为了达成上述的目的，目前已有多种静电放电保护组件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有自身触发效能的静电放电防护电路，适用于一具有输出入接合垫的集成电路，其特征在于该静电放电防护电路包括一金氧半(MOS)晶体管，具有多指状元件结构，其中指状元件均具有寄生双载子晶体管，该指状元件的汲极是耦接至该输出入接合垫而源极耦接至一电位，且在所有指状元件中至少一个具有最大基体电阻的指状元件的源极耦接至该些寄生双载子晶体管的基极。2.根据权利要求1所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该具有最大基体电阻的指状元件是位于该些指状元件的中央。3.根据权利要求1所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该些指状元件中有具有最大基体电阻的指状元件被选择用以使该静电放电保护组件的触发电流最佳化。4.根据权利要求2所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于当该输出入接合垫遭受静电袭击时，该位于中央的指状元件被触发导通并引发一电流，导通所有其它的寄生双载子晶体管。5.根据权利要求1所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该些指状元件的闸极是与源极共同耦接至该电位。6.根据权利要求1所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该些指状元件的闸极是耦接至一前置驱动器(pre-driver)。7.根据权利要求1所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该具有最大基体电阻的指状元件的源极是耦接至其它指状元件的闸极。8.根据权利要求7所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该些指状元件中有具有最大基体电阻且其源极耦接至其它指状元件闸极的指状元件被选择用以使该静电放电保护组件的触发电流最佳化。9.一种具有自身触发效能的静电放电防护电路，适用于一具有输出入接合垫的集成电路，其特征在于该静电放电防护电路包括一金氧半(MOS)晶体管，具有多指状元件，其中指状元件均具有寄生双载子晶体管，该指状元件的汲极是耦接至该输出入接合垫而源极耦接至一电位，且在所有指状元件中至少一个具有最大基体电阻的指状元件的源极耦接至其它指状元件的闸极。10.根据权利要求9所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该具有最大基体电阻的指状元件是位于该些指状元件的中央。11.根据权利要求9所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于该些指状元件中有具有最大基体电阻的指状元件被选择用以使该静电放电保护组件的触发电流最佳化。12.根据权利要求9所述的具有自身触发效能的静电放电防护电路，其特征在于当该输出入接合垫遭受静...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，徐国钧，罗文裕，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：