具低切换噪声的构装结构制造技术

一种具低切换噪声的构装结构，应用于集成电路芯片的封装，利用一芯片电容与一芯片直接接合，该芯片电容为一利用多层电极层配合高介电常数的绝缘材质所形成的电容结构，且每一电极层都具有连接至表层的Ｉ／Ｏ连接垫，不同电位的电极层其Ｉ／Ｏ连接垫互相分隔，本实用新型专利技术集成电路构装结构能提供更好的噪声过滤效果，有效降低切换噪声。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电子产品的结构，特别是指一种应用于集成电路芯片封装的构装结构。抑制反射噪声(Reflection Noise)主要须做好阻抗匹配，对付耦合噪声(Coupled Noise)必须注意并行线距离及长度的控制，而IC高速切换(turn on/turn off)时所产生的切换噪声(或是称为同步切换噪声Simultaneous Switching Noise；SSN)则必须靠大量的解耦合电容(De-coupling Capacitor)或旁路电容(Bypass Capacitor)来稳定电源并过滤高频噪声。但是为数众多的电容组件却往往使产品无法兼顾轻、薄、短、小的发展趋势，而且电流回路的路径越长噪声干扰越大，所以这些电容必须与IC保持在一定的距离之内(tr越短距离越近)才有其效果，也就是说即使增加基板的面积来摆放更多的电容，亦可能因相距太远而无法达到预期的效果，这是设计者的难题。虽然被动组件的封装规格越来越小，表面粘着组件(SMD；SurfaceMount Device)规格由1210→1206→0805→0603→0402甚至0201，但是面积越小相对能做出的电容量亦跟着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具低切换噪声的构装结构，包括一芯片，具有多个接合垫，其特征在于还包含有一芯片电容，置于所述芯片的上表面或背面，与所述芯片接合，该芯片电容具有多层相互隔绝的电极层，且该每一电极层都具有至少一个连接至该芯片电容表层的Ｉ／Ｏ连接垫。

【技术特征摘要】
1.一种具低切换噪声的构装结构，包括一芯片，具有多个接合垫，其特征在于还包含有一芯片电容，置于所述芯片的上表面或背面，与所述芯片接合，该芯片电容具有多层相互隔绝的电极层，且该每一电极层都具有至少一个连接至该芯片电容表层的I/O连接垫。2.如权利要求1所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述的芯片电容的电极层由导电体所构成。3.如权利要求1所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述的芯片电容的各电极层之间利用高介电常数材质相互隔绝。4.如权利要求1所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述芯片电容的电极层至少包含有一电源层及一接地层。5.如权利要求1所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述的I/O连接垫为一I/O焊垫。6.如权利要求5所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述的I/O焊垫排列成阵列方式。7.如权利要求5所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述芯片电容不同电极层的I/O焊垫相互交错排列。8.如权利要求1所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述芯片电容不同电极层的I/O连接垫相互隔绝。9.如权利要求8所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于所述的I/O连接垫位于所述芯片电容的周边。10.如权利要求1所述的具低切换噪声的构装结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何宗哲，李明林，张慧如，赖信助，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]